应用领域-KIA半导体-广东可易亚半导体科技有限公司

17N10场效应管,259a100v,KCX017N10N参数资料-KIA MOS管...

KCX017N10N场效应管漏源击穿电压100V，漏极电流259A ，采用先进的MOS技术制造，...KCX017N10N场效应管漏源击穿电压100V，漏极电流259A ，采用先进的MOS技术制造，极低导通电阻RDS(开启) 2mΩ，卓越的QgxRDS（on）产品（FOM），减少开关损耗，提高...

n沟道mos管开关电路,原理图分享-KIA MOS管

nmos管作为防止电路反接方案中，VCC=5V的电源加在10K阻性负载上，电压表、电流...nmos管作为防止电路反接方案中，VCC=5V的电源加在10K阻性负载上，电压表、电流表分别测量，记录值是5V、500uA；切换Key开关，模拟电源反接时，测得记录值是-49.55...

直流快充桩和交流充电桩区别,优缺点详解-KIA MOS管

交流充电桩输出的依然是交流电，这种电流需要经过车载充电机(OBC)转换为直流电...交流充电桩输出的依然是交流电，这种电流需要经过车载充电机(OBC)转换为直流电后才能为电池充电。这一转换过程限制了充电速度，因为车载充电机的功率通常有限(3.3...

12N10场效应管参数,330a100v,KCX012N10N参数-KIA MOS管...

KCX012N10N场效应管漏源击穿电压100V，漏极电流330A ，采用先进的MOS技术制造，...KCX012N10N场效应管漏源击穿电压100V，漏极电流330A ，采用先进的MOS技术制造，极低导通电阻RDS(开启) 1.4mΩ，卓越的QgxRDS（on）产品（FOM），减少开关损耗，高...