从运放这张图中，可以看出这就是一个反相积分电路，当输入电阻较大时，开关速度...从运放这张图中，可以看出这就是一个反相积分电路，当输入电阻较大时，开关速度比较缓慢，Cgd这颗积分电容影响不明显，但是当开关速度比较高，而且VDD供电电压比较...
当Q3基极输入高电平时，三极管导通，Q1、Q2的栅极都被拉到0V，Q1通过体二极管，...当Q3基极输入高电平时，三极管导通，Q1、Q2的栅极都被拉到0V，Q1通过体二极管，符合条件（Vgs<0）先导通，接着Q2的源极S端电压大于栅极G端电压（Vgs
KNY3403A场效应管漏源击穿电压30V，漏极电流85A，采用KIA先进的沟槽技术，低导...KNY3403A场效应管漏源击穿电压30V，漏极电流85A，采用KIA先进的沟槽技术，低导通电阻RDS(开启) 4.5mΩ，最大限度地减少导电损耗，减少导通损耗、提供卓越的开关性...
两个PMOS接在上边作为上桥臂，两个NMOS接在下边作为下桥臂，要想让PMOS导通，那...两个PMOS接在上边作为上桥臂，两个NMOS接在下边作为下桥臂，要想让PMOS导通，那么PMOS栅极的电压就要低于源极的电压，而且栅源之间的电压要低于开启电压。
如上图所示，为一相的逆变桥。上下MOS管不能同时导通，那么可以有几种控制方式...如上图所示，为一相的逆变桥。上下MOS管不能同时导通，那么可以有几种控制方式： PWM控制上管，下管电平控制（恒高或者恒低）； PWM控制下管，上管电平控制；
KNY3303B场效应管漏源击穿电压30V，漏极电流90A，采用KIA先进的沟槽技术，特别...KNY3303B场效应管漏源击穿电压30V，漏极电流90A，采用KIA先进的沟槽技术，特别针对减少导通损耗、提供卓越的开关性能以及在雪崩和换向模式下承受高能脉冲进行了优...
