KND3203B场效应管漏源击穿电压30V，漏极电流100A；采用CRM（CQ）先进的沟槽MOS...KND3203B场效应管漏源击穿电压30V，漏极电流100A；采用CRM（CQ）先进的沟槽MOS技术，极低导通电阻RDS(开启) 3.1mΩ，最大限度地减少导电损耗，高效低耗；优秀的Qg...
混合集成电路是一种将不同技术制造的电子元件(如半导体器件、陶瓷器件、电阻、...混合集成电路是一种将不同技术制造的电子元件(如半导体器件、陶瓷器件、电阻、电容等)集成在同一基板上,通过金属线或焊接连接这些元件以实现功能电路。 混合集成...
当MOSFET从截止区经过放大区转到可变电阻区时，对应其开通过程（反之为关断过程...当MOSFET从截止区经过放大区转到可变电阻区时，对应其开通过程（反之为关断过程）。在放大区内，由于米勒效应，随着Vds下降，CGD电容显著增大。因此，给CGD电容充...
KNH2908B场效应管漏源击穿电压80V，漏极电流130A；采用先进的沟槽技术，低RDS（...KNH2908B场效应管漏源击穿电压80V，漏极电流130A；采用先进的沟槽技术，低RDS（ON）的高密度电池设计，极低导通电阻RDS(开启) 5.0mΩ，最大限度地减少导电损耗；低...
当PMOS工作时，电流从S极（源极）流向D极（漏极），由于PMOS以空穴为主要载流子...当PMOS工作时，电流从S极（源极）流向D极（漏极），由于PMOS以空穴为主要载流子，电流的实际方向与电子流动方向相反。漏极通常接较低的电位（例如接地或负电源），...
PFC电路是对输入电流的波形进行控制，使其与输入电压波形同步，提高功率因数，...PFC电路是对输入电流的波形进行控制，使其与输入电压波形同步，提高功率因数，减少谐波含量，是能够解决因容性负载导致电流波形严重畸变而产生的电磁干扰(EMl)和电...
