KIA6035AD场效应管漏源击穿电压350V，漏极电流11A；采用先进的平面条纹DMOS技术...KIA6035AD场效应管漏源击穿电压350V，漏极电流11A；采用先进的平面条纹DMOS技术，最大限度地减少导通电阻，导通电阻RDS(开启) 0.38Ω，降低功耗、提升效率；在雪崩...
场效应管是一种电压控制型器件，通过栅源电压（VGS）来控制漏极电流（ID），具...场效应管是一种电压控制型器件，通过栅源电压（VGS）来控制漏极电流（ID），具有高输入阻抗、低输出阻抗、快速开关速度和大电压/电流能力等特点。
低通滤波电路可使低频信号较少损失地传输到输出端，使高频信号得到有效抑制。低...低通滤波电路可使低频信号较少损失地传输到输出端，使高频信号得到有效抑制。低通滤波(Low-pass filter) 是一种过滤方式，规则为低频信号能正常通过，而超过设定临...
KIA5N50SY场效应管漏源击穿电压高达500V，漏极电流5A，低导通电阻RDS(开启) 1....KIA5N50SY场效应管漏源击穿电压高达500V，漏极电流5A，低导通电阻RDS(开启) 1.35Ω，最大限度地减少导电损耗，高效低耗；坚固的高压端接、指定雪崩能量、源极到...
导体的电阻R跟它的长度L、电阻率ρ成正比，跟它的横截面积S成反比，这个规律就...导体的电阻R跟它的长度L、电阻率ρ成正比，跟它的横截面积S成反比，这个规律就叫电阻定律(law of resistance)，公式为R=ρL/S 。其中ρ为制成电阻的材料的电阻率，...
添加反向并联二极管：在MOS管的源极和漏极之间，加入一个反向并联二极管，可以...添加反向并联二极管：在MOS管的源极和漏极之间，加入一个反向并联二极管，可以巧妙地抑制二极管反向电压。当漏极电压为负值时，这个二极管会导通，从而将漏极电压...
