还在为 MOS 管发热大、高频损耗高发愁？KCB2920K 系列采用 SGT 沟槽工艺，Rds ...还在为 MOS 管发热大、高频损耗高发愁？KCB2920K 系列采用 SGT 沟槽工艺，Rds (on) 低至 9.8mΩ，200V/130A 规格，低栅极电荷，是高频开关电源、同步整流的理想选...
还在为 MOS 管发热大、效率低发愁？KNF7650A/KNH7650A 采用 170mΩ 超低内阻设...还在为 MOS 管发热大、效率低发愁？KNF7650A/KNH7650A 采用 170mΩ 超低内阻设计，500V/25A 规格，低损耗高效率，是开关电源、电机驱动的优选 ...
还在为 MOS 管发热大、效率低发愁？KIA9435 采用 50mΩ 超低内阻设计，-30V/5....还在为 MOS 管发热大、效率低发愁？KIA9435 采用 50mΩ 超低内阻设计，-30V/5.3A 电流规格，SOP-8 封装，低损耗高效率，是电源管理、负载开关的优选。
KNY2904A 是 40V/130A 高性能 N 沟道 MOSFET，DFN5×6 封装，Rds (on) 低至 2....KNY2904A 是 40V/130A 高性能 N 沟道 MOSFET，DFN5×6 封装，Rds (on) 低至 2.0mΩ，低损耗高效率，专为电源管理、快充、电机驱动设计，可直接替代 AO4403/SI4403...
KPE4403A2 双P沟道MOSFET，-30V耐压/-5A电流，SOP-8封装，典型Rds(on)=42mΩ，...KPE4403A2 双P沟道MOSFET，-30V耐压/-5A电流，SOP-8封装，典型Rds(on)=42mΩ，低栅极电荷、开关速度快，可直接替代AO4403/SI4403，适用于同步降压、电源管理，现货...
KND3080B N沟道MOSFET，30V耐压80A大电流，TO-252封装，典型Rds(on)仅4.1mΩ，...KND3080B N沟道MOSFET，30V耐压80A大电流，TO-252封装，典型Rds(on)仅4.1mΩ，低栅极电荷、开关速度快，可直接替代进口同规格型号，广泛用于电源管理、负载开关、...
