KNY3403A 是 DFN56 封装 N 沟道 MOS 管，30V 85A，低导通电阻、高雪崩耐量，解...KNY3403A 是 DFN56 封装 N 沟道 MOS 管，30V 85A，低导通电阻、高雪崩耐量，解决大电流发热、PCB 空间紧张痛点，适配负载开关、SMPS 电源、降压模块、快充电源，可...
KIA KCY3503S DFN5*6 N 沟道 mos 管，30V 耐压 70A 大电流，典型 Rds (on)=2.6...KIA KCY3503S DFN5*6 N 沟道 mos 管，30V 耐压 70A 大电流，典型 Rds (on)=2.6mΩ，低栅极电荷，雪崩性能优异。解决电源发热大、开关损耗高难题，适用于台式机电源...
KIA KNG3703A TO‑252 N 沟道 MOS 管，30V 50A，典型 7.5mΩ 低导通内阻，完整...KIA KNG3703A TO‑252 N 沟道 MOS 管，30V 50A，典型 7.5mΩ 低导通内阻，完整雪崩参数，栅电荷小开关速度快。解决电源大电流发热、开关损耗高难题，适配网络 DC‑...
KIA50N03B TO‑252 N 沟道 MOS 管，30V 50A，典型 Rds (on)=6.5mΩ，低栅极电荷...KIA50N03B TO‑252 N 沟道 MOS 管，30V 50A，典型 Rds (on)=6.5mΩ，低栅极电荷、快速开关，具备雪崩耐受，解决大电流发热、误导通炸管难题，适配 DC‑DC、锂电保...
KIA KLF80R240B 高压 N 沟道 MOS 管，TO‑220F 绝缘封装，800V 18A，低导通电阻...KIA KLF80R240B 高压 N 沟道 MOS 管，TO‑220F 绝缘封装，800V 18A，低导通电阻、低栅极电荷，100% 雪崩测试，抗 dv/dt 干扰。适配开关电源、LED 驱动、工业电源、...
KLM80R240B 采用 TO‑247F 封装，800V 高压 N 沟道 mos 管，低导通损耗，抗 dv...KLM80R240B 采用 TO‑247F 封装，800V 高压 N 沟道 mos 管，低导通损耗，抗 dv/dt 干扰，雪崩性能优异。适配开关电源、逆变器、充电桩、PFC 功率校正，解决电源发...
