选型 650V 贴片 IGBT 选 KGB10N65A TO263 封装，开通 / 关断损耗均衡，25~175℃...选型 650V 贴片 IGBT 选 KGB10N65A TO263 封装，开通 / 关断损耗均衡，25~175℃宽温稳定，680V 以上高耐压抵御电网尖峰，省去外置续流二极管降低 BOM 成本，适用于...
KCT010N04N 超低阻功率 MOS，TOLL8L 大电流散热封装，单颗承载 395A，无需多颗...KCT010N04N 超低阻功率 MOS，TOLL8L 大电流散热封装，单颗承载 395A，无需多颗并联降成本。1369mJ 雪崩抗浪涌，-55~150℃宽温稳定，电池管理、电机控制器、快充电...
长期采购进口 TOLL 功率 MOS 面临交期长、物料成本高问题？KCT033N08N 国产贴片...长期采购进口 TOLL 功率 MOS 面临交期长、物料成本高问题？KCT033N08N 国产贴片 MOS，标准 TOLL-8L 封装兼容现有产线，低内阻减少散热物料投入，极小 Crss 缩短 E...
高压 PFC / 充电桩 MOS 发烫、电感尖峰击穿、高频 EMI 振荡？KLM60R099B TO247...高压 PFC / 充电桩 MOS 发烫、电感尖峰击穿、高频 EMI 振荡？KLM60R099B TO247 超结 MOS，90mΩ 低内阻，Qg 仅 56nC，100V/ns 抗 dv/dt，100% 雪崩全检，平替 IRF...
电机 / 大功率 DC-DC MOS 温升超标、电感浪涌击穿、损耗高？KCP035N10N TO220 ...电机 / 大功率 DC-DC MOS 温升超标、电感浪涌击穿、损耗高？KCP035N10N TO220 功率 MOS，3.3mΩ 低 Rds (on)，800mJ 抗雪崩，70ns 快恢复二极管，100% 耐压 + 雪崩...
快充 / 锂电 MOS 发热、浪涌击穿、PCB 占位大？KNG3080B DFN3*3 功率 MOS，4.1...快充 / 锂电 MOS 发热、浪涌击穿、PCB 占位大？KNG3080B DFN3*3 功率 MOS，4.1mΩ 低导通内阻，320A 峰值电流，308mJ 抗雪崩，18ns 超快恢复二极管，适配负载开关...
