开关电源 MOS 发热、高压尖峰击穿、电源效率低?KNF20N65A TO220F 功率 MOS,0...开关电源 MOS 发热、高压尖峰击穿、电源效率低?KNF20N65A TO220F 功率 MOS,0.38Ω 低导通内阻,低栅电荷减少开关损耗,850mJ 高雪崩抗浪涌,适配电视电源、适配...
还在愁 MOS 管发热炸机、耐压虚标、交期延误?KND3203C TO252 封装 N 沟道 MOS...还在愁 MOS 管发热炸机、耐压虚标、交期延误?KND3203C TO252 封装 N 沟道 MOS,低 Rds (on) 温升低,支持 5V 单片机直驱,60V 耐压余量足,适配小家电、安防电源...
大功率储能、锂电池BMS设备发热炸管?进口MOS长期缺货交期久?选可易亚KCD3008...大功率储能、锂电池BMS设备发热炸管?进口MOS长期缺货交期久?选可易亚KCD3008C TO-252封装MOSFET!85V耐压120A连续电流,SGT工艺Rds(on)仅4.7mΩ,大幅降低整机温...
大功率电源、BMS设备发热严重?进口MOSFET缺货交期长?选可易亚KCY3008C!120A...大功率电源、BMS设备发热严重?进口MOSFET缺货交期长?选可易亚KCY3008C!120A/85V/DFN5*6封装,采用先进SGT工艺,RDS(on)仅4.2mΩ,大幅降低温升;通过UIS/ΔVDS...
快充电源发热严重?PCB空间不够?选KNY3080B 80A 30V DFN5*6 MOSFET!4.1mΩ超...快充电源发热严重?PCB空间不够?选KNY3080B 80A 30V DFN5*6 MOSFET!4.1mΩ超低导通电阻,降低温升提升效率;32nC低栅极电荷,适配高频开关场景;完全兼容进口同...
KND8104A 是 KIA 品牌推出的 TO-252 封装 N 沟道 MOSFET,额定 40V/30A,典型 ...KND8104A 是 KIA 品牌推出的 TO-252 封装 N 沟道 MOSFET,额定 40V/30A,典型 Rds (on) 低至 12mΩ,具备快速开关、低 Crss 特性,适配 PWM 控制、电源管理、负载...