KIA 原厂 KNB2904A TO-263 (DPAK) 沟槽 N 沟道功率 MOS，额定 40V 耐压、130A ...KIA 原厂 KNB2904A TO-263 (DPAK) 沟槽 N 沟道功率 MOS，额定 40V 耐压、130A 连续电流，典型 Rds (on)=2.5mΩ，单脉冲雪崩能量 250mJ，结壳热阻仅 0.96℃/W。完美...
KIA 原厂 KND2904A TO-252 (DPAK) 沟槽 N 沟道 MOS 管，额定 40V 耐压、130A 连...KIA 原厂 KND2904A TO-252 (DPAK) 沟槽 N 沟道 MOS 管，额定 40V 耐压、130A 连续电流，典型 Rds (on)=2.5mΩ，单脉冲雪崩能量 250mJ，结壳热阻仅 0.96℃/W。完美...
IA 原厂 KNB3004A TO-263 (DPAK) 沟槽 N 沟道 MOS 管，额定 40V 耐压、120A 连...IA 原厂 KNB3004A TO-263 (DPAK) 沟槽 N 沟道 MOS 管，额定 40V 耐压、120A 连续电流，典型 Rds (on)=3.8mΩ，单脉冲雪崩能量 324mJ，结壳热阻仅 1.1℃/W。完美解...
KIA 原厂 KCY3104S DFN56 封装 SGT 工艺 N 沟道 MOS 管，额定 40V 耐压、110A ...KIA 原厂 KCY3104S DFN56 封装 SGT 工艺 N 沟道 MOS 管，额定 40V 耐压、110A 连续电流，典型 Rds (on)=1.5mΩ，单脉冲雪崩能量高达 400mJ，结壳热阻仅 1℃/W。完...
KIA 原厂 KCD3304A TO-252 封装 SGT 工艺 N 沟道 MOS 管，额定 40V/90A 连续电...KIA 原厂 KCD3304A TO-252 封装 SGT 工艺 N 沟道 MOS 管，额定 40V/90A 连续电流，典型 Rds (on)=6.2mΩ，总栅电荷仅 13.5nC，Crss 低至 26pF。完美解决传统 MOS ...
KIA 原厂 KND3404D TO-252 封装 N 沟道 MOS 管，额定 40V/80A，典型 Rds (on)=...KIA 原厂 KND3404D TO-252 封装 N 沟道 MOS 管，额定 40V/80A，典型 Rds (on)=4.4mΩ 超低导通内阻，出厂 100% 雪崩能量全检。解决普通 MOS 大电流温升高、电感负...
