KIA 原厂 KNY3404C DFN5*6 40V80A N 沟道沟槽 MOSFET，典型 Rds (on)=5mΩ，低...KIA 原厂 KNY3404C DFN5*6 40V80A N 沟道沟槽 MOSFET，典型 Rds (on)=5mΩ，低栅电荷、110mJ 高雪崩耐受，可直接替代 AON6792、NCE4080K，国产现货库存，批量采购...
KIA 原厂 KNY8104A DFN5*6 封装 40V30A N 沟道 MOSFET，典型 Rds (on)=12mΩ，...KIA 原厂 KNY8104A DFN5*6 封装 40V30A N 沟道 MOSFET，典型 Rds (on)=12mΩ，低反向电容 Crss，高速开关。可直代 AON6408、NCE4030K 等进口 MOS，现货库存，交期...
KSM040N120B 1200V68A 碳化硅 MOS 管 TO247 封装，40mΩ 低内阻，高频低损耗，...KSM040N120B 1200V68A 碳化硅 MOS 管 TO247 封装，40mΩ 低内阻，高频低损耗，完美对标进口 40mΩ1200V SiC 功率管，适配光伏、充电桩、工业高压电源，原厂现货可...
KIA 原厂 KPG4506A DFN3*3 P 沟道 MOS 管，额定 - 60V/6A，典型 Rds (on)=54mΩ...KIA 原厂 KPG4506A DFN3*3 P 沟道 MOS 管，额定 - 60V/6A，典型 Rds (on)=54mΩ，支持 5V 逻辑电平驱动，100% UIS 雪崩测试。适配负载开关、电源管理、高速线路驱...
KCY3610A 是 DFN5*6 封装 100V/60A SGT N 沟 MOS，Rds (on) 仅 8mΩ，超低栅电...KCY3610A 是 DFN5*6 封装 100V/60A SGT N 沟 MOS，Rds (on) 仅 8mΩ，超低栅电荷开关速度快，100% 雪崩全检，抑制 CdV/dt 干扰，适配高压快充、工业电源，可直接替...
KIA50L06TD 为 TO-252-4 封装 60V N+P 双通道功率 MOSFET，N 沟 48A/P 沟 49A，...KIA50L06TD 为 TO-252-4 封装 60V N+P 双通道功率 MOSFET，N 沟 48A/P 沟 49A，Rds (on) 低至 13.5mΩ，低栅电荷开关快，100% 雪崩检测，适配同步降压、H 桥驱动，...
