KIA3303C 是一款 30V/90A N 沟道功率 MOSFET，DFN 封装 Rds (on) 低至 2.6mΩ，...KIA3303C 是一款 30V/90A N 沟道功率 MOSFET，DFN 封装 Rds (on) 低至 2.6mΩ，TO-252 封装仅 3.2mΩ，超低导通损耗，支持快速开关与高 dv/dt，100% 雪崩测试，适...
KIA4590A专为适配器、充电器、开关电源待机电源设计，900V/6A足额耐压，低导通...KIA4590A专为适配器、充电器、开关电源待机电源设计，900V/6A足额耐压，低导通电阻低损耗，快速恢复体二极管抗干扰，可直接替代进口同参数型号，KIA半导体官方现货...
KIA半导体官方供应KIA65R420，650V/11A N沟道超结MOSFET，RDS(on)=0.38Ω，TO-...KIA半导体官方供应KIA65R420，650V/11A N沟道超结MOSFET，RDS(on)=0.38Ω，TO-220F封装，低栅极电荷高雪崩耐量，可直接替代进口型号，现货稳定供应，提供免费样品...
IA半导体官方供应KIA3508A，80V/70A N沟道MOSFET，覆盖TO-220/TO-263/TO-252全...IA半导体官方供应KIA3508A，80V/70A N沟道MOSFET，覆盖TO-220/TO-263/TO-252全封装，典型导通内阻7.5mΩ，100%雪崩测试，pin to pin兼容进口/国产型号，零改板替换...
KIA 半导体官方供应 KIA4603A，是 30V/7A N 沟道增强型 MOSFET，采用 SOP-8 封...KIA 半导体官方供应 KIA4603A，是 30V/7A N 沟道增强型 MOSFET，采用 SOP-8 封装，典型导通电阻低至 14.5mΩ，超低栅极电荷，先进高密度沟槽工艺，优秀 CdV/dt 抗...
该电路使用二极管的单向电导率进行整流。在U2的正半周期内，二极管D向前传导。...该电路使用二极管的单向电导率进行整流。在U2的正半周期内，二极管D向前传导。电流从变压器次级线圈的上端流过二极管D，流过负载电阻RL并流回变压器次级线圈的下端...
