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广东可易亚半导体科技有限公司

结果: 找到相关主题 5907 个

  • 直流快充桩和交流充电桩区别,优缺点详解-KIA MOS管

    交流充电桩输出的依然是交流电，这种电流需要经过车载充电机(OBC)转换为直流电后才能为电池充电。这一转换过程限制了充电速度，因为车载充电机的功率通常有限(3.3kW-22kW不等)。

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    www.kiaic.com/article/detail/5763.html         2025-07-02

  • 12N10场效应管参数,330a100v,KCX012N10N参数-KIA MOS管

    KCX012N10N场效应管漏源击穿电压100V，漏极电流330A ，采用先进的MOS技术制造，极低导通电阻RDS(开启) 1.4mΩ，卓越的QgxRDS（on）产品（FOM），减少开关损耗，高效稳定；符合JEDEC标准，坚固可靠，在电机控制和驱动、电池管理、不间断电源（UPS）中广泛应用；...

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    www.kiaic.com/article/detail/5762.html         2025-07-01

  • llc电路详解,llc谐振电路原理-KIA MOS管

    LLC变换器由4个模块组成：电源开关、谐振腔、变压器和二极管整流器。MOSFET功率开关首先将输入的直流电压转换为高频方波；随后方波进入谐振腔，由谐振腔消除方波的谐波并输出基频的正弦波；正弦波再通过高频变压器传输到变换器的副边，并根据应用需求对电压进行...

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    www.kiaic.com/article/detail/5761.html         2025-07-01

  • ppn详解,ppn电容作用,测量方法-KIA MOS管

    PPN电容是CBB13型无感箔式聚丙烯膜电容的另一种名称，属于薄膜电容器的一种，具有高频损耗小、耐冲击、温度稳定性好等特点，广泛应用于高频、直流、交流及大电流脉冲电路中。

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    www.kiaic.com/article/detail/5760.html         2025-07-01

  • 电机控制MOS管,305a90v,12N09场效应管参数中文资料-KIA MOS管

    KCX012N09N场效应管漏源击穿电压90V，漏极电流305A ，采用先进的MOS技术制造，极低导通电阻RDS(开启) 1.3mΩ，卓越的QgxRDS（on）产品（FOM），减少开关损耗，提高效率；符合JEDEC标准，产品性能稳定可靠，在电机控制和驱动、电池管理、不间断电源（UPS）中广泛...

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    www.kiaic.com/article/detail/5759.html         2025-06-30

  • tip42c参数与管脚图,tip42c参数及代换-KIA MOS管

    TIP42C是PNP功率晶体管，采用TO-220塑料封装，材料是SI-NPN，该器件适用于音频，功率线性和开关应用。与TIP42C互补的PNP类型为TIP41C中功率三极管，其广泛用于信号放大及音频功放用晶体管。

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    www.kiaic.com/article/detail/5758.html         2025-06-30

  • 无线电发射与接收原理,电路图分享-KIA MOS管

    无线电通信是利用电磁波进行信息传输的一种技术。无线电通常使用调频或调幅技术将信息转化为电信号,然后通过天线传输。1.调制：发射端先将要传输的信号进行调制，将其转换为适合在空间中传播的电磁波信号。

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    www.kiaic.com/article/detail/5757.html         2025-06-30

  • upsmos管,70a250v场效应管,KCP3525A参数引脚图-KIA MOS管

    KCP3525A场效应管漏源击穿电压250V，漏极电流70A ，采用先进的SGT技术制造，专有新沟槽技术，极低导通电阻RDS(开启) 18.5mΩ，低栅极电荷减少开关损耗，提高效率；快速恢复体二极管，具有反向电压保护、续流功能和防止电源反接等优点，在硬开关与高速电路、电机...

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    www.kiaic.com/article/detail/5756.html         2025-06-27

  • sip封装工艺,sip封装有哪几种-KIA MOS管

    sip封装是将多个具有不同功能的有源电子元件与可选无源器件，以及诸如MEMS或者光学器件等其他器件优先组装到一起，实现一定功能的单个标准封装件，形成一个系统或者子系统。

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    www.kiaic.com/article/detail/5755.html         2025-06-27

  • 快恢复二极管(frd)好坏判断,测量方法-KIA MOS管

    快恢复二极管（FRD）是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半导体二极管，主要应用于开关电源、PWM脉宽调制器、变频器等电子电路中。

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    www.kiaic.com/article/detail/5754.html         2025-06-27

  • 整流mos管,135v200a场效应管,toll封装,​KCT2213A参数-KIA MOS管

    KCT2213A场效应管漏源击穿电压135V，漏极电流200A ，采用先进的SGT技术，极低导通电阻RDS(开启) 2.9mΩ，低栅极电荷（151nC），最小化开关损耗，性能卓越；改进的dv/dt能力测试，高坚固性，在同步整流、电机控制、锂电池保护板中广泛应用，高效稳定?；封装形式...

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    www.kiaic.com/article/detail/5753.html         2025-06-26

  • 稳压二极管(zener diode)的原理,工作状态-KIA MOS管

    稳压二极管(zener diode)，又叫齐纳二极管；利用PN结反向击穿状态，呈现极小的电阻，其电流可在很大范围内变化而电压基本不变的现象，起稳压作用。

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    www.kiaic.com/article/detail/5752.html         2025-06-26

  • 单结晶体管(ujt)的工作原理,结构特性详解-KIA MOS管

    单结晶体管有三个电极，分别称为第一基极b1、第二基极b2、发射极e。单结晶体管虽然有三个电极，但在结构上只有一个PN结，它是在一块高电阻率的N型硅基片一侧的两端，各引出一个电极，分别称第一基极b1和 第二基极b2。在硅片的另一侧较靠近b2处，用扩散法掺入P型...

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    www.kiaic.com/article/detail/5751.html         2025-06-26

  • dc直流转换器,320a40v,​1004mos管,KCT1004M参数-KIA MOS管

    KCT1004M场效应管漏源击穿电压40V, 漏极电流320A ，采用先进的SGT技术，高压器件新技术，低导通电阻和低传导损耗，性能优越；?极低导通电阻RDS(开启) 0.62mΩ，超低栅极电荷，降低驱动需求，最小化开关损耗；100%经过雪崩测试，可靠坚固，在DC直流转换器、电机...

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    www.kiaic.com/article/detail/5750.html         2025-06-25

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