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广东可易亚半导体科技有限公司

结果: 找到相关主题 5201 个

  • 电机控制MOS管,305a90v,12N09场效应管参数中文资料-KIA MOS管

    KCX012N09N场效应管漏源击穿电压90V，漏极电流305A ，采用先进的MOS技术制造，极低导通电阻RDS(开启) 1.3mΩ，卓越的QgxRDS（on）产品（FOM），减少开关损耗，提高效率；符合JEDEC标准，产品性能稳定可靠，在电机控制和驱动、电池管理、不间断电源（UPS）中广泛...

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    www.kiaic.com/article/detail/5759.html         2025-06-30

  • tip42c参数与管脚图,tip42c参数及代换-KIA MOS管

    TIP42C是PNP功率晶体管，采用TO-220塑料封装，材料是SI-NPN，该器件适用于音频，功率线性和开关应用。与TIP42C互补的PNP类型为TIP41C中功率三极管，其广泛用于信号放大及音频功放用晶体管。

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    www.kiaic.com/article/detail/5758.html         2025-06-30

  • 无线电发射与接收原理,电路图分享-KIA MOS管

    无线电通信是利用电磁波进行信息传输的一种技术。无线电通常使用调频或调幅技术将信息转化为电信号,然后通过天线传输。1.调制：发射端先将要传输的信号进行调制，将其转换为适合在空间中传播的电磁波信号。

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    www.kiaic.com/article/detail/5757.html         2025-06-30

  • upsmos管,70a250v场效应管,KCP3525A参数引脚图-KIA MOS管

    KCP3525A场效应管漏源击穿电压250V，漏极电流70A ，采用先进的SGT技术制造，专有新沟槽技术，极低导通电阻RDS(开启) 18.5mΩ，低栅极电荷减少开关损耗，提高效率；快速恢复体二极管，具有反向电压保护、续流功能和防止电源反接等优点，在硬开关与高速电路、电机...

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    www.kiaic.com/article/detail/5756.html         2025-06-27

  • sip封装工艺,sip封装有哪几种-KIA MOS管

    sip封装是将多个具有不同功能的有源电子元件与可选无源器件，以及诸如MEMS或者光学器件等其他器件优先组装到一起，实现一定功能的单个标准封装件，形成一个系统或者子系统。

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    www.kiaic.com/article/detail/5755.html         2025-06-27

  • 快恢复二极管(frd)好坏判断,测量方法-KIA MOS管

    快恢复二极管（FRD）是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半导体二极管，主要应用于开关电源、PWM脉宽调制器、变频器等电子电路中。

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    www.kiaic.com/article/detail/5754.html         2025-06-27

  • 整流mos管,135v200a场效应管,toll封装,​KCT2213A参数-KIA MOS管

    KCT2213A场效应管漏源击穿电压135V，漏极电流200A ，采用先进的SGT技术，极低导通电阻RDS(开启) 2.9mΩ，低栅极电荷（151nC），最小化开关损耗，性能卓越；改进的dv/dt能力测试，高坚固性，在同步整流、电机控制、锂电池保护板中广泛应用，高效稳定?；封装形式...

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    www.kiaic.com/article/detail/5753.html         2025-06-26

  • 稳压二极管(zener diode)的原理,工作状态-KIA MOS管

    稳压二极管(zener diode)，又叫齐纳二极管；利用PN结反向击穿状态，呈现极小的电阻，其电流可在很大范围内变化而电压基本不变的现象，起稳压作用。

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    www.kiaic.com/article/detail/5752.html         2025-06-26

  • 单结晶体管(ujt)的工作原理,结构特性详解-KIA MOS管

    单结晶体管有三个电极，分别称为第一基极b1、第二基极b2、发射极e。单结晶体管虽然有三个电极，但在结构上只有一个PN结，它是在一块高电阻率的N型硅基片一侧的两端，各引出一个电极，分别称第一基极b1和 第二基极b2。在硅片的另一侧较靠近b2处，用扩散法掺入P型...

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    www.kiaic.com/article/detail/5751.html         2025-06-26

  • dc直流转换器,320a40v,​1004mos管,KCT1004M参数-KIA MOS管

    KCT1004M场效应管漏源击穿电压40V, 漏极电流320A ，采用先进的SGT技术，高压器件新技术，低导通电阻和低传导损耗，性能优越；?极低导通电阻RDS(开启) 0.62mΩ，超低栅极电荷，降低驱动需求，最小化开关损耗；100%经过雪崩测试，可靠坚固，在DC直流转换器、电机...

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    www.kiaic.com/article/detail/5750.html         2025-06-25

  • MOS管开启电压定义,mos管开启电压一般多少-KIA MOS管

    在电路中，MOS管的开启电压（通常指的是阈值电压）决定了MOS管从截止状态到导通状态所需的栅源电压（VGS）的最小值。对于NMOS管，当VGS大于Vth时，管子开始导通。

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    www.kiaic.com/article/detail/5749.html         2025-06-25

  • FET详解,MOSFET结构原理,场效应管作用-KIA MOS管

    场效应管是一种电压控制器件(晶体管是电流控制器件)，有很高的输入阻抗，较大的功率增益，由于是电压控制器件所以噪声小。FET是根据三极管的原理开发出的新一代放大元件，有3个极，栅极，漏极，源极。

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    www.kiaic.com/article/detail/5748.html         2025-06-25

  • 锂电池保护板,​80v130a场效应管,2908mos管,​KNP2908C-KIA MOS管

    KNP2908C场效应管漏源击穿电压80V, 漏极电流130A ，采用KIA的先进技术制造，极低导通电阻RDS(开启) 4.5mΩ，低栅极电荷（典型值182nC)，最大限度地减少导通损耗，最小化开关损耗；具有快速的开关时间、出色的雪崩特性，高效稳定；高耐用性、改进的dv/dt能力、1...

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    www.kiaic.com/article/detail/5747.html         2025-06-24

  • ao3400参数,30v5.8a mos管,KIA3400参数代换-KIA MOS管

    ao3400场效应管代换型号?KIA3400漏极电流4.8A，漏源击穿电压30V，采用先进的沟槽技术，极低导通电阻RDS(开启)、低栅极电荷和低至2.5V的栅极电压操作，减少开关损耗，提高效率；符合ROHS标准、绿色环保，稳定可靠；适用于电源管理、开关控制、功率放大、高频信...

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    www.kiaic.com/article/detail/5746.html         2025-06-24

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