|
|
|
结果: 找到相关主题 5620 个
-
2904场效应管现货特价,40v130a,KND2904A原厂直销-KIA MOS管
KND2904A场效应管漏源击穿电压40V，漏极电流130A，采用先进沟槽工艺制造，?极低导通电阻RDS(开启) 2.5mΩ，最大限度地减少导电损耗，提高效率；具有低跨导、开关速度快，高效低耗；以及100%雪崩测试、改进的dv/dt能力，稳定可靠，广泛用于PWM应用、负载开关、...www.kiaic.com/article/detail/6234.html 2026-03-02
-
0603封装,0603封装尺寸,0603封装尺寸图-KIA MOS管
0603封装是表面贴装元件（SMD）的一种规格尺寸，最常用于电子产品中的电阻、电容等元器件。0603封装尺寸约为长1.6毫米、宽0.8毫米，高度通常在0.35至0.45毫米之间（具体取决于元件类型）。www.kiaic.com/article/detail/6232.html 2026-03-02
-
3404mos管特价,40v80a场效应管,KNY3404D现货速发-KIA MOS管
KNY3404D场效应管漏源击穿电压40V，漏极电流80A，采用先进的沟槽技术制造，极低导通电阻RDS(开启) 5.2mΩ，最大限度地减少导电损耗，开关速度快，内阻低，耐冲击特性好，高效率低损耗；还具有低栅极电荷、低反向传输电容、改进的dv/dt能力、100%雪崩测试，稳定...www.kiaic.com/article/detail/6231.html 2026-02-28
-
单相逆变器工作原理,逆变器电路图-KIA MOS管
该电路由两只功率开关管、两只储能电容器和藕合变压器等组成。该电路将两只串联电容的中点作为参考点。当功率开关管VT1在控制电路的作用下导通时，电容C1上的能量通过变压器一次侧释放，当功率开关管VT2号通时，电容C2上的能量通过变压器一次侧释放，VT1和VT2轮...www.kiaic.com/article/detail/6230.html 2026-02-28
-
4n65场效应管,650v4a mos,KIA4N65HF参数引脚图-KIA MOS管
KIA4N65HF场效应管漏源击穿电压650V，漏极电流4A，采用KIA先进平面条纹DMOS技术制造，可显著降低导通电阻、提升开关性能，并在雪崩模式和换向模式下具备优异的高能脉冲耐受能力；具有低导通电阻RDS(开启) 2.5Ω，低栅极电荷16nC，高效低耗；以及高坚固性、?快...www.kiaic.com/article/detail/6228.html 2026-02-26
-
手机锂电池保护板,单节锂电池保护电路-KIA MOS管
电池电压上升到过充保护电压后，以上并持续了一段过充保护延时时间， CO 端子的输出就会反转，将充电控制 充电 MOS 管关断，停止充电，这就称 为过充电状态。电池电压降低到过充电解除电压 以下并持续了一段过放保护时间，就会解除过充电状态，恢复为正常状态。...www.kiaic.com/article/detail/6227.html 2026-02-26
-
pwm直流电机调速,电机正反转原理-KIA MOS管
改变电机两端的电源极性可以改变电机的转速，而电机的正反转调速需要通过H桥电路来实现。H桥电路由四个功率电子开关构成，可以是晶体管也可以是MOS管。电子开关两两构成桥臂，在同一时刻只要对角的两个电子开关导通，另外两个截止，且每个桥臂的上下管不能同时...www.kiaic.com/article/detail/6226.html 2026-02-26
-
2n65场效应管,650v2a mos,KIA2N65HU参数引脚图-KIA MOS管
2n65场效应管?漏源击穿电压650V，漏极电流2A，采用KIA先进平面条纹DMOS技术制造，可显著降低导通电阻、提升开关性能，并在雪崩模式和换向模式下具备优异的高能脉冲耐受能力；低导通电阻RDS(开启) 4.3Ω，低栅极电荷6.5nC，?高效低耗；具有高抗干扰能力、快速...www.kiaic.com/article/detail/6225.html 2026-02-11
-
nmos和pmos电流流向详解-KIA MOS管
NMOS（N沟道MOSFET）：其主要载流子是电子（负电荷）。导通时，电子从源极流向漏极，但根据电路理论中电流方向定义为正电荷流动方向，因此电流方向与电子流动方向相反，为从漏极（D）到源极（S）。www.kiaic.com/article/detail/6223.html 2026-02-11
-
2n60,2n60场效应管参数,600v2a场效应管,KIA2N60HF-KIA MOS管
KIA2N60HF场效应管漏源击穿电压600V，漏极电流2A，专为高压、高速的功率开关应用而设计，?低导通电阻RDS(开启) 4.1Ω，最大限度地减少导电损耗，低栅极电荷（典型值9nC），高效低耗?；具有高耐用性、快速切换能力、指定雪崩能量、改进的dv/dt能力，性能优越，...www.kiaic.com/article/detail/6222.html 2026-02-10
-
运算放大电路图,加减法运算,差分放大电路-KIA MOS管
图为同相加法电路，可以根据“虚断”、“虚短”和戴维宁定理进行计算，输出公式为：UO=(1+Rf/R1)[U1×Ri2// Ri3/( Ri1+ Ri2// Ri3)+ U1×Ri1// Ri3/( Ri2+ Ri1// Ri3)+ U1×Ri1// Ri2/( Ri3+ Ri1// Ri2)],www.kiaic.com/article/detail/6221.html 2026-02-10
-
防雷电路,防浪涌电路设计-KIA MOS管
防浪涌抑制电路的原理是利用场效应管的电流放大特性，控制输入电流从0逐渐增加，缓慢的为输出侧电容充电，直至场效应管完全导通，从而避免由于输出侧电容的瞬间短路特性导致产生的大电流。www.kiaic.com/article/detail/6220.html 2026-02-10
-
1n60场效应管参数引脚图,600v1a mos管,KIA1N60-KIA MOS管
1n60场效应管漏源电压600V，漏极电流1A，专为高压、高速功率开关应用设计，低导通电阻RDS(开启) 9.3Ω，最大限度地减少导电损耗，低栅极电荷（典型值5.0nC），降低开关损耗，性能高效；具有快速切换能力、指定雪崩能量、改进的dv/dt能力、高坚固性，稳定可靠；...www.kiaic.com/article/detail/6219.html 2026-02-09
-
ss34,ss34二极管参数,ss34代换型号-KIA MOS管
SS34是一款贴片肖特基二极管，具有40V反向耐压、3A正向电流、500mV@3A低正向压降，封装类型为DO-214AB（SMC），表面贴装双引脚设计；封装尺寸：约7.11×6.22mm（兼容SMA/SMB封装）。www.kiaic.com/article/detail/6218.html 2026-02-09