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7n80场效应管代换型号?KIA7N80HF漏源击穿电压800V,漏极电流7A,采用先进的平面条状DMOS技术制造,?RDS(on)仅为1.4Ω@ VGS=10V,低栅极电荷27nC,最大限度降低导通电阻、提供卓越的开关性能;?具有高坚固性、快速切换、100%雪崩测试、改进的dv/dt能力,性能...
www.kiaic.com/article/detail/5804.html 2025-07-21
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KPD3204B场效应管漏源击穿电压-40V,漏极电流-90A,采用先进的高单元密度沟槽技术制造,极低导通电阻RDS(ON)3.2mΩ(典型值)、超低栅极电荷,减少开关损耗,高效率低损耗;100%EAS保证、dV/dt效应显著下降,稳定可靠,绿色设备可用,性能优越;封装形式:TO...
www.kiaic.com/article/detail/5798.html 2025-07-18
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KNB2708A场效应管漏源击穿电压80V,漏极电流160A,采用专有新型沟槽技术制造,极低导通电阻RDS(ON)4mΩ(典型值),最大限度地降低导通电阻,?超低栅极电荷,减少开关损耗提高效率;快速恢复体二极管、反向恢复时间短,性能优越,稳定可靠;广泛应用于高效D...
www.kiaic.com/article/detail/5801.html 2025-07-18
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变频器的逆变原理是通过脉宽调制(PWM)技术控制开关器件通断时序,将直流电转换为频率和电压可调的交流电。
www.kiaic.com/article/detail/5793.html 2025-07-16
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KCY2408A场效应管漏源击穿电压80V,漏极电流190A,采用SGT-MOSFET技术,专有新型沟槽工艺制造,??极低导通电阻RDS(开启) 2mΩ,最大限度地降低导通电阻,减少损耗;快速切换能力,确保应用高效率、低损耗,稳定可靠;广泛应用于交流直流快速充电器、同步整流...
www.kiaic.com/article/detail/5792.html 2025-07-15
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升降压电路由电感周期性的充能和放能过程维持均匀的电压输出,且输出电压与输入电压极性相反。将升降压电路中的电感替换成互相耦合的电感N1和N2(也就是变压器)就是反激拓扑。
www.kiaic.com/article/detail/5791.html 2025-07-15
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47n60场效应管参数代换型号KLM60R065B漏源击穿电压600V,漏极电流50A,极低导通电阻RDS(开启) 50mΩ,最大限度地降低导通电阻,低栅极电荷75nC,减少损耗、提高效率;开关速度快、100%雪崩测试、改进的dv/dt能力、超高坚固性,稳定可靠;广泛应用于高频开关电源...
www.kiaic.com/article/detail/5789.html 2025-07-14
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电解电容是电容的一种,通常为由金属箔(铝/钽)作为正电极,金属箔的绝缘氧化层(氧化铝/钽五氧化物)作为电介质,阴极由导电材料、电解质(电解质可以是液体或固体)和其他材料共同组成。电解电容器以其正电极的不同分为铝电解电容器和钽电解电容器。
www.kiaic.com/article/detail/5788.html 2025-07-14
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电容器的容值是电容器存储电荷的能力,单位是法拉(F)。实际常用单位包括微法(μF)、纳法(nF)、皮法(pF)。
www.kiaic.com/article/detail/5787.html 2025-07-14
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irf840场效应管?代换型号?KIA840SP漏源击穿电压500V,漏极电流8A,低导通电阻RDS(on)=0.7Ω,最大限度地降低导通电阻,低栅极电荷,减少损耗;?开关速度快,高效可靠;100%雪崩测试、符合RoHS,稳定环保;合理的峰值电流与脉冲宽度曲线,性能优越;广泛应用...
www.kiaic.com/article/detail/5786.html 2025-07-11
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PWM(脉冲宽度调制)、PFM(脉冲频率调制)和PSM(脉冲跨周期调制)是开关电源中常见的三种控制模式。PWM是最常用的方式,通过固定频率改变脉冲宽度来调整输出。PFM则是在保持脉冲宽度不变的情况下改变频率。PSM是频率和脉宽都固定的调制方式,根据负载调整脉冲...
www.kiaic.com/article/detail/5785.html 2025-07-11
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开关电源(DC-DC)的调制方式中,脉冲宽度调制(PWM)和脉冲频率调制(PFM)是两种最常见的类型。PWM通过固定频率调整脉冲宽度(占空比)调节输出,而PFM通过改变频率(固定脉宽或关断时间)实现调控。
www.kiaic.com/article/detail/5784.html 2025-07-11
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KPD8106A场效应管漏源击穿电压-60V,漏极电流-30A ,采用先进的沟槽技术制造,极低导通电阻RDS(开启) 26mΩ,低栅极电荷,减少开关损耗,提高效率;快速开关,高效稳定;100%经雪崩测试、改进的dv/dt能力,坚固可靠;在PWM应用、负载切换、电源管理中广泛应用;...
www.kiaic.com/article/detail/5783.html 2025-07-10
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采用MOS管的开关方式实现了对信号链路关断或者打开;由于其功能类似于开关,而用模拟器件的特性实现,称为模拟开关。
www.kiaic.com/article/detail/5782.html 2025-07-10