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广东可易亚半导体科技有限公司

结果: 找到相关主题 5648 个

  • 光伏汇流箱结构、原理图详解-KIA MOS管

    光伏交流汇流箱由直流输入、DC/AC逆变器、交流输出和保护等组成。直流输入部分连接光伏板的正负极，将光伏板产生的直流电能输入到交流汇流箱中。

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    www.kiaic.com/article/detail/5709.html         2025-06-06

  • 同步整流场效应管,130a85vmos管,KCD2908A参数手册-KIA MOS管

    KCD2908A场效应管漏源击穿电压85V，漏极电流130A，采用先进的SGT技术设计，极低导通电阻RDS(on) 3.7mΩ，出色的栅极电荷，可最大限度地减少导电损失，高效低耗；具有高坚固性、快速切换、100%雪崩测试、改进的dv/dt能力，性能稳定可靠；广泛应用于电机驱动、SR...

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    www.kiaic.com/article/detail/5708.html         2025-06-05

  • 电源转换器专用,400vmos管,KNP6140S场效应管参数-KIA MOS管

    大功率场效应管KNP6140S漏源击穿电压400V，漏极电流11A，专为高压、高速功率开关应用设计；极低导通电阻RDS(on)=0.53Ω，低栅极电荷15.7nC，可最大限度地减少导电损失，高效低耗；具有高坚固性、快速切换、100%雪崩测试、改进的dv/dt能力，性能稳定可靠；广泛应...

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    www.kiaic.com/article/detail/5705.html         2025-06-04

  • mmbt5401参数,引脚图,mmbt5401资料手册-KIA MOS管

    MMBT5401高压PNP双极晶体管，该器件设计为通用放大器和开关，用于需要高电压的应用。采用SOT-23封装，专为低功耗表面贴装应用而设计。

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    www.kiaic.com/article/detail/5704.html         2025-06-04

  • 充电桩mosfet,1000v场效应管,KNF45100A参数引脚图-KIA MOS管

    KNF45100A场效应管漏源击穿电压1000V，漏极电流6A，极低导通电阻RDS(开启) 2.0mΩ，最大限度地减少导电损耗；低电荷最小化开关损耗，低反向传输电容，开关速度快，高效低耗；快速恢复体二极管、符合RoHS、高坚固性，稳定可靠；适用于备用电源，充电桩、适配器等...

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    www.kiaic.com/article/detail/5702.html         2025-05-29

  • 电源管理mos管,60v150a,2706场效应管,KNB2706A参数-KIA MOS管

    KNB2706A场效应管漏源击穿电压60V，漏极电流150A，极低导通电阻RDS(开启) 2.8mΩ，最大限度地减少导电损耗，提高效率；快速开关切换，高效低耗；高坚固性、100%经雪崩测试、改进的dv/dt能力，稳定可靠；适用于PWM应用、负载开关、电源管理等多种应用；封装形式...

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    www.kiaic.com/article/detail/5699.html         2025-05-28

  • pwm专用mos管,3903mos管,30v85a,KND3903A参数-KIA MOS管

    pwm专用mos管KND3903A漏源击穿电压30V，漏极电流85A，极低导通电阻RDS(开启) 3.6mΩ，最大限度地减少导电损耗，提高效率；低Crrs、快速切换，高效低耗；100%经雪崩测试、提升dv/dt性能，稳定可靠；适用于PWM应用、负载开关、电源管理等多种应用；封装形式：TO-...

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    www.kiaic.com/article/detail/5696.html         2025-05-27

  • dfn,MOS管DFN8封装图,封装尺寸-KIA MOS管

    DFN封装是一种无引脚的封装形式，采用双边或方形扁平无铅封装，仅两侧有焊盘。DFN8表示焊盘数是8个，典型主体尺寸长度通常介于2-7mm，焊盘间距通常为0.5-0.95mm，特点是灵活性高，常用于集成电路芯片的封装。

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    www.kiaic.com/article/detail/5694.html         2025-05-27

  • 充电器mos管,4406场效应管,​12a30vmos管,KNE6303A参数-KIA MOS管

    充电器mos管?KNE6303A漏源击穿电压30V，漏极电流12A，先进的沟槽加工技术，超低导通电阻的高密度电池设计，??导通电阻RDS(开启) 8mΩ，高效低耗；改进的dv/dt能力、?完全表征的雪崩电压和电流，稳定可靠；100% EAS保证、绿色设备，环保可靠；适用于充电器、...

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    www.kiaic.com/article/detail/5693.html         2025-05-26

  • 直流电机控制pmos,-100v pmos,KPD6610B场效应管参数-KIA MOS管

    KPD6610B场效应管漏源击穿电压-100V，漏极电流-15A，低导通电阻RDS(开启) 170mΩ；具有低噪声?，提高信号的保真度??、高阈值电压?，抗干扰能力强?、低功耗?，高效稳定；100% EAS保证、绿色设备，环保可靠；适用于电源管理、直流电机控制等多种应用场景；...

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    www.kiaic.com/article/detail/5690.html         2025-05-23

  • 电源场效应管,90a30vmos管,KND3303C参数引脚图-KIA MOS管

    KND3303C场效应管漏源击穿电压30V，漏极电流90A，极低导通电阻RDS(开启) 3.2mΩ，最小化开关损耗；低Crrs、快速开关，高效率低损耗；100%经雪崩测试、改进的dv/dt能力，稳定可靠；适用于PWM应用、负载开关、电源管理等多种应用场景，能够有效减小功率损耗和提高...

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    www.kiaic.com/article/detail/5687.html         2025-05-22

  • 汽车空调控制器mos管,130a60v,​KNB2906B场效应管参数-KIA MOS管

    汽车空调控制器mos管?KNB2906B漏源击穿电压60V，漏极电流130A，极低导通电阻RDS(开启) 4.6mΩ，最小化开关损耗，高效低耗；?具有快速开关、低导通电阻、低栅极电荷和特别优异的雪崩特性，性能优越；?100％的雪崩测试、改进的dv/dt能力，?稳定可靠适用于同步...

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    www.kiaic.com/article/detail/5684.html         2025-05-21

  • 10a650v场效应管,65t540 650V,KNF6165C参数引脚图-KIA MOS管

    开关电源专用MOS管KNF6165C漏源击穿电压6500V，漏极电流10A；低导通电阻RDS（导通）0.8Ω，最小化开关损耗，快速切换，开关性能优越；低栅极电荷、低反向传输电容、100%单脉冲雪崩能量测试?，高效稳定可靠；专为高压、高速功率开关应用而设计，如高效开关电源...

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    www.kiaic.com/article/detail/5681.html         2025-05-20

  • 三电平电路拓扑,电路原理图分享-KIA MOS管

    三电平拓扑结构是电力电子中常用的一种拓扑设计，用于提高功率变换器的效率和降低谐波失真，在光伏、储能、UPS、APF等领域有广泛应用。三电平变换器在传统的两电平变换器基础上增加了一个中间电平，从而有效地减小了输出波形的谐波含量，并降低了开关损耗。

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    www.kiaic.com/article/detail/5680.html         2025-05-20

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