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广东可易亚半导体科技有限公司

结果: 找到相关主题 972 个

  • 5N50参数及代换,​5N50场效应管引脚图​-KIA MOS管

    高压MOS管KIA5N50H最高承受电压可达500V，漏极电流最大值为5A；低内阻：1.25Ω，能够承受高电流，使得电器的效率更高，低开关损耗：开关速度快，开关损耗小，节能环保。适用于各种高功率应用场合，如无刷电机、安定器等。封装形式：TO-252；脚位排列位GDS。

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    www.kiaic.com/article/detail/4478.html         2023-09-11

  • 大功率MOS管7880A 27A 800V场效应管27n80-KIA MOS管

    大功率高压MOS管KNK7880A：漏源击穿电压高达800V，漏极电流最大值为27A；RDS (on) = 280mΩ(typ)@VGS =10V。具有低电荷最小化开关损耗，开关速度快等优点，适用于无刷电机驱动、电焊机、电源分流器、电箱等产品。封装形式：TO-264；脚位排列位GDS。

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    www.kiaic.com/article/detail/4475.html         2023-09-08

  • 场效应管功放电路分享,简单好用-KIA MOS管

    场效应管具有输入阻抗高、频率特性好、稳定性好(无二次击穿现象)低噪声、低失真等特点，已被广泛地应用在音响电路中，用VMOS功率场效应管制成的功放，音色优美，音色比双极型晶体管功放暖，与电子管功放相似，失真小且制作容易，因此很受音响爱好者的喜爱。

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    www.kiaic.com/article/detail/4465.html         2023-09-05

  • 高压MOS管62150A 1500V场效应管STW21N150-KIA MOS管

    高压MOS管KNX62150A：漏源击穿电压高达1500V，漏极电流最大值为11A；RDS (on) = 2.4mΩ(typ)@VGS =10V。具有低电荷最小化开关损耗，低反向传输电容，开关速度快等优点，适用于高压电源、新能源汽车电机?等。封装形式：TO-247；脚位排列位GDS。

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    www.kiaic.com/article/detail/4463.html         2023-09-05

  • 1500V大功率场效应管 48150A​高压mos管参数-KIA MOS管

    大功率场效应管?KNX48150A：漏源击穿电压高达1500V，漏极电流最大值为9A；RDS (on) = 2.8mΩ(typ)@VGS =10V。具有低电荷最小化开关损耗，低反向传输电容，开关速度快等优点，适用于适配器、充电器、SMPS备用电源等。封装形式：TO-247；脚位排列位GDS。

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    www.kiaic.com/article/detail/4458.html         2023-08-31

  • 场效应管1000v 13a 64100A引脚图 mos管参数-KIA MOS管

    KNX64100A场效应管-漏源击穿电压高达1000V，漏极电流最大值为13A；RDS (on) = 0.85mΩ(typ)@VGS =10V。具有低电荷最小化开关损耗，低反向传输电容，开关速度快等优点，适用于DC-DC转换，电机控制等。封装形式：TO-247；脚位排列位GDS。

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    www.kiaic.com/article/detail/4450.html         2023-08-28

  • 1000V 10A电源应用 61100A​场效应管 mos管参数-KIA MOS管

    KNX61100A场效应管-漏源击穿电压高达1000V，漏极电流最大值为10A；RDS (on) = 1.0mΩ(typ)@VGS =10V。具有低电荷最小化开关损耗，低反向传输电容，开关速度快等优点，适用于备用电源，充电桩等应用。封装形式：TO-247；脚位排列位GDS。

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    www.kiaic.com/article/detail/4447.html         2023-08-25

  • 1000V 6A场效应管KNX45100A 参数引脚规格书-KIA MOS管

    KNX45100A场效应管-漏源击穿电压高达1000V，漏极电流最大值为6A；RDS (on) = 2.0mΩ(typ)@VGS =10V。具有低电荷最小化开关损耗，低反向传输电容，开关速度快等优点，适用于备用电源，充电桩等应用。封装形式：TO-220、TO-220F、TO-252；脚位排列位GDS。

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    www.kiaic.com/article/detail/4444.html         2023-08-24

  • 4A ​1000V场效应管 43100A参数 引脚图-KIA MOS管

    KNX43100A场效应管-漏源击穿电压高达1000V，漏极电流最大值为4A；RDS (on) = 2.2mΩ(typ)@VGS =10V。具有低电荷最小化开关损耗，低反向传输电容，开关速度快等优点，适用于驱动电源，充电桩等应用。封装形式：TO-220、TO-220F、TO-252；脚位排列位GDS。

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    www.kiaic.com/article/detail/4441.html         2023-08-23

  • 1000V场效应管代换2sk119参数 41100A引脚图-KIA MOS管

    ??KNX41100A场效应管-漏源击穿电压高达1000V，漏极电流最大值为2A，可替换2sk119；RDS (on) = 9.6mΩ(typ)@VGS =10V。具有低电荷最小化开关损耗，低反向传输电容，开关速度快等优点，适用于LED照明驱动电源，充电桩等应用。封装形式：TO-220、TO-220F、TO-25...

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    www.kiaic.com/article/detail/4438.html         2023-08-22

  • 900V场效应管6990A 引脚图 900V MOS管参数手册-KIA MOS管

    KNX6990A 900V 18A场效应管参数：ID（A）：18A；BVdss（V）：900V；RDS (on) = 0.65mΩ(typ)@VGS =10V。KNX6390A采用高级平面工艺，具有低电荷，低反向传输电容，开关速度快等优点，适用于无刷直流电机驱动器、电焊机、高效开关电源等应用。封装形式：TO-247，...

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    www.kiaic.com/article/detail/4435.html         2023-08-21

  • 900V 12A场效应管6390A 引脚图TO-247 参数手册-KIA MOS管

    900V 12A场效应管6390A型号参数：ID（A）：12A；BVdss（V）：900V；RDS (on) = 0.75mΩ(typ)@VGS =10V。KNX6390A采用高级平面工艺，具有低电荷，低反向传输电容，开关速度快等优点，适用于无刷直流电机驱动器、电焊机、高效开关电源等应用。封装形式：TO-247，...

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    www.kiaic.com/article/detail/4432.html         2023-08-17

  • 900V高压MOS管4590A 引脚图TO-220 900V场效应管-KIA MOS管

    900V高压MOS管4590A型号参数：ID（A）：6A；BVdss（V）：900V；RDS (on) = 1.6mΩ(typ)@VGS =10V。具有低电荷，低反向传输电容，开关速度快等优点。封装形式：TO-220/TO-220F，脚位排列位GDS。

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    www.kiaic.com/article/detail/4429.html         2023-08-16

  • 6180参数800V 10A场效应管 高电压MOS管-KIA MOS管

    MOS场效应管6180参数：Vgs（±V）：30；VTH（V）：2-4；ID（A）：10A；BVdss（V）：800V；RDS (on) = 0.72mΩ(typ)@V GS =10V。具有低电荷，低反向传输电容，开关速度快等优点。主要封装形式是TO-220/TO-220F，脚位排列位GDS。

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    www.kiaic.com/article/detail/4426.html         2023-08-15

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