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ncep15t14参数,ncep15t14代换,ncep15t14场效应管-KIA MOS管
ncep15t14场效应管VDS =150V，ID =140A，RDS(ON) <6.2mΩ @ VGS=10V，能够使用KIA半导体的KNX2915A型号替代，KNX2915A漏源击穿电压150V，漏极电流最大为130A；RDS（on）（典型值）=10mΩ@Vgs=10V，可提供最高效的高频开关性能。www.kiaic.com/article/detail/4532.html 2023-10-13
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【收藏】场效应管符号,MOS管电路符号-KIA MOS管
场效应管是?利用电场控制的半导体器件，具有输入阻抗高、噪声小、热稳定性好、便于集成等特点。?符号如图所示，场效应管?有三个极，分别是源极S，栅极G，漏极D。场效应管的?文字符号是“ VT ”。www.kiaic.com/article/detail/4527.html 2023-10-12
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hy1906参数,hy1906代换,2906A场效应管-KIA MOS管
KIA2906A漏源击穿电压60V，漏极电流最大为130A；RDS（on）（典型值）=5.5mΩ@Vgs=10V，具有低电荷最小化开关损耗，开关速度快等优点，KIA2906A能够完美匹配hy1906型号场效应管。www.kiaic.com/article/detail/4526.html 2023-10-11
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小家电控制板,30V 50A,NCE3050 场效应管替代-KIA MOS管
KIA50N03A场效应管是采用KIA半导体先进工艺制造，具有较低的导通电阻、优越的开关性能、极高的雪崩击穿耐量，可最大限度地减少导通损耗，卓越高效。KIA50N03A可完美替代NCE3050，非常适合应用于小家电控制板；www.kiaic.com/article/detail/4520.html 2023-10-09
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2300场效应管,参数引脚图,2300替代NCP1117 SI2300-KIA MOS管
MOS管KIA2300漏源击穿电压20V, 漏极电流最大值为6A ,封装形式：SOT-23，?可替代SI2300以及NCP1117?，KIA2300具有较低的导通电阻、优越的开关性能、可最大限度地减少导通损耗，高效高质。www.kiaic.com/article/detail/4517.html 2023-10-08
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svt035r5nd参数,035r5nd代换,100A 30V场效应管-KIA MOS管
KNX3203B漏源击穿电压100V, 漏极电流最大值为30A ,RDS(on) =3.1mΩ(typ)@VGS=10V，封装形式：TO-252，能够匹配代换svt035r5nd和nce03h11k型号参数场效应管。www.kiaic.com/article/detail/4514.html 2023-09-27
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3n150场效应管参数,3n150代换,2SK2225参数代换-KIA MOS管
MOS管42150A漏源击穿电压1500V，漏极电流最大值为3A；RDS（ON），典型=5.5Ω@VGS=10V，采用超高密度电池设计、超低导通电阻，低开关损耗：开关速度快，开关损耗小，高效稳定。42150A型号产品可完美代换3N150、2SK2225使用，42150A交货周期短，价格优惠，优质原...www.kiaic.com/article/detail/4502.html 2023-09-21
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nce65t540参数代换,引脚图,6165C场效应管-KIA MOS管
KNF6165C最高承受电压可达650V，漏极电流最大值为10A，栅源电压：±20V，脉冲漏极电流：40A，RDS（ON）=0.8Ω（典型值）@VGS=10V；封装形式：TO-220F；脚位排列位GDS。6165C 650V 10A场效应管能够代替nce65t540型号产品，高效质优，国产原厂。www.kiaic.com/article/detail/4497.html 2023-09-20
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40A 250V场效应管参数代换,9125A场效应管引脚图-KIA MOS管
40A 250V场效应管参数,9125A-参数漏源电压：250V漏极电流：40A功耗:125Wwww.kiaic.com/article/detail/4496.html 2023-09-19
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28n50场效应管参数,28n50代换,28A 500V,逆变器-KIA MOS管
高压大功率MOS管KIA28N50漏源击穿电压高达500V，漏极电流最大为28A；RDS（on）（典型值）=0.16mΩ@Vgs=10V，具有低电荷最小化开关损耗，开关速度快等优点，适用于车载逆变器、LED电源、手机充电器、备用电源等。封装形式：TO-3P、TO-220F。www.kiaic.com/article/detail/4493.html 2023-09-18
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KCX2904A场效应管 130A 45V参数 MOS管资料-KIA MOS管
KCX2904A漏源击穿电压45V，漏极电流最大为130A；RDS（on）（典型值）=2.0mΩ@Vgs=10V，开启延迟典型值为16nS，关断延迟时间典型值为44nS，上升时间18.3nS，下降时间11.5nS，反向传输电容110pF，反向恢复时间98nS，正向电压的典型值0.78V。封装形式：TO-263、TO...www.kiaic.com/article/detail/4490.html 2023-09-15
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2408A场效应管 190a 80v 参数引脚图-KIA MOS管
MOS管KNX2408A：漏源击穿电压80V，漏极电流最大值为190A；RDS (on) = 3.7mΩ(typ)@VGS =10V。KNX2408A采用先进的沟槽技术，提供优异的RDS（ON），低栅极电荷，高效稳定。广泛应用于无刷电机、不间断电源等产品。www.kiaic.com/article/detail/4487.html 2023-09-14
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HY3210场效应管代换2910A HY3210参数 引脚图-KIA MOS管
MOS管KNX2910A漏源击穿电压100V，漏极电流最大值为130A；低内阻：5Ω，采用超高密度电池设计、超低导通电阻，低开关损耗：开关速度快，开关损耗小，高效稳定。www.kiaic.com/article/detail/4484.html 2023-09-13
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3406场效应管参数引脚图 60V80A场效应管-KIA MOS管
MOS管KCX3406A：漏源击穿电压60V，漏极电流最大值为80A；RDS (on) = 8.5mΩ(typ)@VGS =10V。KCX3406A是采用KIA的LVMOS技术生产的N沟道增强型功率MOS场效应晶体管。www.kiaic.com/article/detail/4481.html 2023-09-12