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广东可易亚半导体科技有限公司

结果: 找到相关主题 5172 个

  • 运放参数分析：输入阻抗和输入电容详解-KIA MOS管

    运放的输入共模电容 Ccm 和差模电容 Cdiff 会形成运放的输入电容 Cin。在许多应用中，运算放大器的输入电容都不会造成问题。但在某些应用中会引起放大电路的不稳定。

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    www.kiaic.com/article/detail/4357.html         2023-07-14

  • 650V超结MOSFET KIA65R700超结场效应管供应-KIA MOS管

    KIA65R700超结场效应管650V7A，减少传导损耗，提供卓越的开关性能优异，可在雪崩和换向模式下承受高能脉冲。这些设备非常适合于交流/直流功率转换的开关模式操作，以获得更高的效率。

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    www.kiaic.com/article/detail/4356.html         2023-07-13

  • VCC端串入PMOS管的防反接保护电路分享-KIA MOS管

    （1）由于 VBAT 端要提供负载的工作电流，因此，要求 PMOS 管的导通内阻比 NMOS 管要更小。一般来说，导通内阻越小，其 Gate 端的结电容就越大，所以 PMOS 管的开关速度就会越慢，因此，要综合考虑。

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    www.kiaic.com/article/detail/4355.html         2023-07-13

  • NMOS管串入GND管脚的防反接保护电路-KIA MOS管

    基于MOS管的防反接电路，如NMOS管串入GND管脚的防反接电路。相比于以往的防反接电路，MOS管类型的防反接保护电路，具有低功耗和压降小的优点。

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    www.kiaic.com/article/detail/4354.html         2023-07-13

  • KIA65R950 650V超结场效应管TO-252高压MOS原厂-KIA MOS管

    这种功率MOSFET是使用KIA半导体先进的超级结技术生产的。这种先进的技术经过特别定制，可以最大限度地减少导通损耗，提供卓越的开关性能，并在雪崩和换向模式下承受高能脉冲。这些设备非常适合开关模式操作中的AC/DC功率转换，以获得更高的效率。

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    www.kiaic.com/article/detail/4353.html         2023-07-12

  • 图文详解电源芯片纹波电压测试方法-KIA MOS管

    输入低频纹波(1) 增加输出低频滤波的电感、电容容量及数量

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    www.kiaic.com/article/detail/4352.html         2023-07-12

  • 分享几种实现开关电源电流检测的方法-KIA MOS管

    采用电阻实现电流检测时，要注意电阻的容差（1%或更低）和温度系数（100ppm/°C），因为高精度的电阻可以提高开关电源电流检测的精度和稳定性，在多相电源时，还可以均衡各相电源的输出。

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    www.kiaic.com/article/detail/4351.html         2023-07-12

  • KIA15TB60​快恢复二极管15A 600V手册资料 原厂现货-KIA MOS管

    KIA15TB60 15A 600V?描述该系列是最先进的设备，设计用于开关电源、逆变器和续流二极管。

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    www.kiaic.com/article/detail/4350.html         2023-07-11

  • 开关电源的电流检测原理图文分享-KIA MOS管

    电流检测是开关电源设计的重要组成部分，其具有调节输出和限流保护功能；而且，电流检测电路具有高可靠性、回路补偿简单、负载分担能力好等特点，因此被广泛应用在开关电源中。

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    www.kiaic.com/article/detail/4349.html         2023-07-11

  • 开关电源控制器结温的计算分析详解-KIA MOS管

    设计开关电源时，各种参数的计算以及控制器和无源器件的选取是工作的重点，其中，控制器的结温是需要重点关注的参数之一，因为过高的结温除了会带来安全隐患外，还会影响开关电源的效率。

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    www.kiaic.com/article/detail/4348.html         2023-07-11

  • KIA10TB60快恢复管10A 600V TO-220优质原厂-KIA MOS管

    KIA10TB60 10A 600V--该系列是最先进的设备，设计用于开关电源、逆变器和续流二极管。

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    www.kiaic.com/article/detail/4347.html         2023-07-10

  • LDO电源抑制比的作用及影响因素详解-KIA MOS管

    PSRR 是 LDO 的主要参数之一，在各厂商 LDO 的数据手册中都可以找到这一参数，PSRR 规定了在某个频率下叠加的交流信号从 LDO 输入到输出的衰减程度。

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    www.kiaic.com/article/detail/4346.html         2023-07-10

  • 【MOSFET功率损耗】MOSFET的传导损耗-KIA MOS管

    MOSFET 作为开关元件，导通时电流流过图 1 中的回路 1，断开时无电流流过。因此，MOSFET 的功率损耗主要由传导损耗和开关损耗组成。

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    www.kiaic.com/article/detail/4345.html         2023-07-10

  • 快恢复二极管KIA05TB40 5A 400V参数TO-252现货-KIA MOS管

    双整流器结构，正中心抽头硅整流器金属，多数载流子导电正向电压低，效率高过电压保护防护

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    www.kiaic.com/article/detail/4344.html         2023-07-07

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