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广东可易亚半导体科技有限公司

结果: 找到相关主题 5172 个

  • 大功率电源切换,11A 350V,KIA6035AD场效应管参数-KIA MOS管

    KIA6035AD场效应管漏源击穿电压350V，漏极电流11A；采用先进的平面条纹DMOS技术，最大限度地减少导通电阻，导通电阻RDS(开启) 0.38Ω，降低功耗、提升效率；在雪崩和换向模式下承受高能脉冲，低栅极电荷、高坚固性、指定的雪崩能量和改进的dv/dt能力，实现快速...

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    www.kiaic.com/article/detail/5522.html         2025-02-27

  • 低通滤波电路详解，rc低通滤波电路图-KIA MOS管

    低通滤波电路可使低频信号较少损失地传输到输出端，使高频信号得到有效抑制。低通滤波(Low-pass filter) 是一种过滤方式，规则为低频信号能正常通过，而超过设定临界值的高频信号则被阻隔、减弱。

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    www.kiaic.com/article/detail/5520.html         2025-02-27

  • 电阻率的单位,电阻率的单位换算详解-KIA MOS管

    导体的电阻R跟它的长度L、电阻率ρ成正比，跟它的横截面积S成反比，这个规律就叫电阻定律(law of resistance)，公式为R=ρL/S 。其中ρ为制成电阻的材料的电阻率，L为绕制成电阻的导线长度，S为绕制成电阻的导线横截面积，R为电阻值。

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    www.kiaic.com/article/detail/5518.html         2025-02-26

  • MOS管反向击穿电压,二极管反向电压抑制-KIA MOS管

    添加反向并联二极管：在MOS管的源极和漏极之间，加入一个反向并联二极管，可以巧妙地抑制二极管反向电压。当漏极电压为负值时，这个二极管会导通，从而将漏极电压限制在反向击穿电压以下，保护MOS管免受损害。

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    www.kiaic.com/article/detail/5517.html         2025-02-26

  • 电工公式大全,常用的电工公式分享-KIA MOS管

    欧姆定律：R=U/I电阻（R）等于电压（U）除以电流（I），这是电工学的基石。电功率公式电流在单位时间内做的功叫做电功率。是用来表示消耗电能的快慢的物理量，用P表示，它的单位是瓦特（Watt），简称"瓦"，符号是W。

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    www.kiaic.com/article/detail/5515.html         2025-02-25

  • dip封装和sop封装尺寸,区别,封装图-KIA MOS管

    尺寸和空间占用：SOP封装比DIP封装更小，占用的空间更少，更适合现代电子设备的小型化趋势。引脚数量和排列：SOP封装可以容纳更多的引脚，并且引脚排列更紧凑，而DIP封装的引脚数量较少，排列较为分散。

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    www.kiaic.com/article/detail/5514.html         2025-02-25

  • mos管静电击穿原因,mos管防静电措施-KIA MOS管

    绝缘层薄，承受高电压的能力差。高输入阻抗使其对电压变化敏感。静电放电会在短时间内施加过高的电压，导致绝缘层击穿。

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    www.kiaic.com/article/detail/5512.html         2025-02-24

  • 光耦关键参数,光耦主要参数有哪些？-KIA MOS管

    反向电流IR：在被测管两端加规定反向工作电压VR时，二极管中流过的电流。反向击穿电压VBR：被测管通过的反向电流IR为规定值时，在两极间所产生的电压降。

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    www.kiaic.com/article/detail/5511.html         2025-02-24

  • 30V100A MOS管,3203场效应管,KND3203B参数资料-KIA MOS管

    KND3203B场效应管漏源击穿电压30V，漏极电流100A；采用CRM（CQ）先进的沟槽MOS技术，极低导通电阻RDS(开启) 3.1mΩ，最大限度地减少导电损耗，高效低耗；优秀的QgxRDS（on）产品性能，符合JEDEC标准，开关速度快、内阻低，稳定可靠；适用于开关电源、家电控制板...

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    www.kiaic.com/article/detail/5510.html         2025-02-21

  • 混合集成电路定义,混合集成电路包括哪些？-KIA MOS管

    混合集成电路是一种将不同技术制造的电子元件(如半导体器件、陶瓷器件、电阻、电容等)集成在同一基板上,通过金属线或焊接连接这些元件以实现功能电路。混合集成电路在基片上用成膜方法制作厚膜或薄膜元件及其互连线，并在同一基片上将分立的半导体芯片、单片集...

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    www.kiaic.com/article/detail/5509.html         2025-02-21

  • mos管米勒平台形成原因,米勒平台改善-KIA MOS管

    当MOSFET从截止区经过放大区转到可变电阻区时，对应其开通过程（反之为关断过程）。在放大区内，由于米勒效应，随着Vds下降，CGD电容显著增大。因此，给CGD电容充电的过程导致了米勒平台。

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    www.kiaic.com/article/detail/5508.html         2025-02-21

  • pmos电流方向,pmos工作区分析-KIA MOS管

    当PMOS工作时，电流从S极（源极）流向D极（漏极），由于PMOS以空穴为主要载流子，电流的实际方向与电子流动方向相反。漏极通常接较低的电位（例如接地或负电源），使得电流可以从源极流向漏极。

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    www.kiaic.com/article/detail/5506.html         2025-02-20

  • pfc电路图及其原理,典型PFC电路-KIA MOS管

    PFC电路是对输入电流的波形进行控制，使其与输入电压波形同步，提高功率因数，减少谐波含量，是能够解决因容性负载导致电流波形严重畸变而产生的电磁干扰(EMl)和电磁兼容(EMC)问题。功率因数是指有功功率与视在功率（总耗电量）的比值。当功率因数越大，电力利...

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    www.kiaic.com/article/detail/5505.html         2025-02-20

  • 3404mos管,3404场效应管,80a40v,KND3404C参数资料-KIA MOS管

    KND3404C场效应管漏源击穿电压40V，漏极电流80A；采用先进的高单元密度沟槽技术，极低的导通电阻RDS(开启) 5.0mΩ，最大限度地减少导电损耗；具有出色的RDSON和栅极电荷，高效率低损耗；以及出色的Cdv/dt效应下降、符合RoHs和绿色产品要求、100%EAS保证，稳定可...

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    www.kiaic.com/article/detail/5504.html         2025-02-19

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