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广东可易亚半导体科技有限公司

结果: 找到相关主题 5380 个

  • 050N08,85v120a场效应管,KCX050N08N参数引脚图-KIA MOS管

    KCX050N08N场效应管漏源击穿电压85V，漏极电流120A ，采用先进的MOS技术制造，极低导通电阻RDS(开启) 4.6mΩ，卓越的QgxRDS（on）产品（FOM），减少开关损耗，提高效率；符合JEDEC标准，100%DVDS测试、100%雪崩测试，确保可靠性和稳定性，在电机控制和驱动、电...

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    www.kiaic.com/article/detail/5774.html         2025-07-07

  • 高频开关电源工作原理,电路原理-KIA MOS管

    高频开关电源通过高频变换实现高效率电能转换，高频开关电源是由输入滤波、整流滤波、高频变换、输出整流滤波和控制电路组成。

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    www.kiaic.com/article/detail/5773.html         2025-07-07

  • 817c光耦参数,817C引脚图和参数-KIA MOS管

    光耦817通过光信号实现输入和输出之间的电气隔离。光耦817内部包含一个发光二极管（LED）和一个光电晶体管，当LED发光时，光电晶体管会感应到光信号并导通，从而实现信号的传递。

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    www.kiaic.com/article/detail/5772.html         2025-07-07

  • 充气泵电路图,充气泵MOS管应用-KIA MOS管

    充气泵中的MOS管主要用于控制电机供电和气压调节，实现精准充气和智能控制。电机控制充气泵通常配备电机驱动气泵，通过MOS管调节电流通断以控制电机运转。

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    www.kiaic.com/article/detail/5770.html         2025-07-04

  • 040N10N,100v120a场效应管,KCX040N10N参数原厂-KIA MOS管

    KCX040N10N场效应管漏源击穿电压100V，漏极电流120A ，采用先进的MOS技术制造，极低导通电阻RDS(开启) 3.6mΩ，卓越的QgxRDS（on）产品（FOM），减少开关损耗，提高效率；符合JEDEC标准，100%DVDS测试、100%雪崩测试，确保可靠性和稳定性，在电机控制和驱动、电...

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    www.kiaic.com/article/detail/5771.html         2025-07-04

  • 分压原理详解,电路分压原理和分流原理-KIA MOS管

    分压原理涉及串联电路中电阻上的电压分配，其中流经每个电阻的电流相同，各电阻两端的电压累加得到总电压。分压原理的公式为R1：R2=U1：U2。在并联电路中分流。

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    www.kiaic.com/article/detail/5769.html         2025-07-04

  • 032n10n场效应管参数,120a100v mos管,KCX032N10N-KIA MOS管

    KCX032N10N场效应管漏源击穿电压100V，漏极电流120A ，采用先进的MOS技术制造，极低导通电阻RDS(开启) 3.5mΩ，卓越的QgxRDS（on）产品（FOM），减少开关损耗，提高效率；符合JEDEC标准，100%DVDS测试、100%雪崩测试，确保可靠性和稳定性，在电机控制和驱动、电...

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    www.kiaic.com/article/detail/5768.html         2025-07-03

  • 推挽电压尖峰高原因及解决方法分享-KIA MOS管

    在每个开关管的并联位置添加反并联二极管。这样做可以在开关管关断时提供一个回路，使电感中的能量得以释放，从而降低尖峰电压的幅值。

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    www.kiaic.com/article/detail/5767.html         2025-07-03

  • ac电流和dc电流关系,有什么区别-KIA MOS管

    ac(交流电）：电流方向和大小随时间按正弦规律周期性变化。例如家庭用电（中国为220V/50Hz），电流方向每秒改变100次。

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    www.kiaic.com/article/detail/5766.html         2025-07-03

  • 17N10场效应管,259a100v,KCX017N10N参数资料-KIA MOS管

    KCX017N10N场效应管漏源击穿电压100V，漏极电流259A ，采用先进的MOS技术制造，极低导通电阻RDS(开启) 2mΩ，卓越的QgxRDS（on）产品（FOM），减少开关损耗，提高效率；符合JEDEC标准，?100%DVDS测试、100%雪崩测试，确保可靠性和稳定性，在电机控制和驱动、电...

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    www.kiaic.com/article/detail/5765.html         2025-07-02

  • n沟道mos管开关电路,原理图分享-KIA MOS管

    nmos管作为防止电路反接方案中，VCC=5V的电源加在10K阻性负载上，电压表、电流表分别测量，记录值是5V、500uA；切换Key开关，模拟电源反接时，测得记录值是-49.554mV、-4.955uA。

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    www.kiaic.com/article/detail/5764.html         2025-07-02

  • 直流快充桩和交流充电桩区别,优缺点详解-KIA MOS管

    交流充电桩输出的依然是交流电，这种电流需要经过车载充电机(OBC)转换为直流电后才能为电池充电。这一转换过程限制了充电速度，因为车载充电机的功率通常有限(3.3kW-22kW不等)。

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    www.kiaic.com/article/detail/5763.html         2025-07-02

  • 12N10场效应管参数,330a100v,KCX012N10N参数-KIA MOS管

    KCX012N10N场效应管漏源击穿电压100V，漏极电流330A ，采用先进的MOS技术制造，极低导通电阻RDS(开启) 1.4mΩ，卓越的QgxRDS（on）产品（FOM），减少开关损耗，高效稳定；符合JEDEC标准，坚固可靠，在电机控制和驱动、电池管理、不间断电源（UPS）中广泛应用；...

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    www.kiaic.com/article/detail/5762.html         2025-07-01

  • llc电路详解,llc谐振电路原理-KIA MOS管

    LLC变换器由4个模块组成：电源开关、谐振腔、变压器和二极管整流器。MOSFET功率开关首先将输入的直流电压转换为高频方波；随后方波进入谐振腔，由谐振腔消除方波的谐波并输出基频的正弦波；正弦波再通过高频变压器传输到变换器的副边，并根据应用需求对电压进行...

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    www.kiaic.com/article/detail/5761.html         2025-07-01

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