返回首页

广东可易亚半导体科技有限公司

结果: 找到相关主题 5255 个

  • 金卤灯电子镇流器原理,电路图分享-KIA MOS管

    首先，工频电源会依次经过射频干扰滤波器、全波整流器以及无源/有源功率因数校正器，这一系列处理后，它被转化为直流电源。接下来，这个直流电源再经过直流/交流变换器，从而被转换为高频交流电源。

    223 次查看 电路图分享-KIA MOS管 金卤灯电子镇流器原理

    www.kiaic.com/article/detail/5682.html         2025-07-25

  • dcac逆变器专用,450v10a,KNF6145A场效应管参数-KIA MOS管

    KNF6145A场效应管漏源击穿电压450V，漏极电流10A，采用专有新型平面技术制造，极低导通电阻RDS（ON）0.39Ω（典型值），最大限度地降低导通电阻，超低栅极电荷，减少开关损耗提高效率；快速恢复体二极管、反向恢复时间短，性能优越，稳定可靠；广泛应用于镇流器...

    0 次查看

    www.kiaic.com/article/detail/5813.html         2025-07-24

  • 快恢复二极管frd,08tb60二极管,600v快恢复管,KIA08TB60DD​-KIA MOS管

    KIA08TB60DD快恢复二极管开关特性好、反向恢复时间短，适用于高频开关电源和逆变器场景；反向恢复时间仅需25纳秒（典型值）；高温稳定性结温可达175℃，采用高温玻璃钝化结技术，稳定可靠；低正向电压、低漏电流、反向电压高达600V，正向电压：1.7V，降低导通损...

    0 次查看

    www.kiaic.com/article/detail/5810.html         2025-07-23

  • 60r380,11a600v,KLD60R380B场效应管参数-KIA MOS管

    KLD60R380B场效应管漏源击穿电压600V，漏极电流11A，采用KIA先进的超级结技术生产，导通电阻RDS(开启) 0.34Ω，低栅极电荷33nC，最大限度降低导通电阻、性能优越；具有高耐用性、快速切换、100%雪崩测试、改进的dv/dt能力，稳定可靠；在雪崩模式和换向模式下承...

    0 次查看

    www.kiaic.com/article/detail/5807.html         2025-07-22

  • 7n80场效应管代换,7a800v,​KIA7N80HF参数现货-KIA MOS管

    7n80场效应管代换型号?KIA7N80HF漏源击穿电压800V，漏极电流7A，采用先进的平面条状DMOS技术制造，?RDS(on)仅为1.4Ω@ VGS=10V，低栅极电荷27nC，最大限度降低导通电阻、提供卓越的开关性能；?具有高坚固性、快速切换、100%雪崩测试、改进的dv/dt能力，性能...

    0 次查看

    www.kiaic.com/article/detail/5804.html         2025-07-21

  • -100a-40v pmos,3204场效应管,KPD3204B参数资料-KIA MOS管

    KPD3204B场效应管漏源击穿电压-40V，漏极电流-90A，采用先进的高单元密度沟槽技术制造，极低导通电阻RDS（ON）3.2mΩ（典型值）、超低栅极电荷，减少开关损耗，高效率低损耗；100%EAS保证、dV/dt效应显著下降，稳定可靠，绿色设备可用，性能优越；封装形式：TO...

    17 次查看 -100a-40v pmos 3204场效应管

    www.kiaic.com/article/detail/5798.html         2025-07-18

  • dcdc变换器mos管,80v160a场效应管,KNB2708A参数-KIA MOS管

    KNB2708A场效应管漏源击穿电压80V，漏极电流160A，采用专有新型沟槽技术制造，极低导通电阻RDS（ON）4mΩ（典型值），最大限度地降低导通电阻，?超低栅极电荷，减少开关损耗提高效率；快速恢复体二极管、反向恢复时间短，性能优越，稳定可靠；广泛应用于高效D...

    0 次查看

    www.kiaic.com/article/detail/5801.html         2025-07-18

  • 变频电源原理,变频器结构原理分享-KIA MOS管

    变频电源是由整个电路构成交流一直流一交流一滤波的变频装置。?变频器通过整流、中间直流环节和逆变等过程，将输入的交流电转换为频率和电压可调的交流电，从而实现对电机转速和转矩的精确控制。

    0 次查看

    www.kiaic.com/article/detail/5794.html         2025-07-16

  • 变频器工作原理,变频器逆变原理-KIA MOS管

    变频器的逆变原理是通过脉宽调制（PWM）技术控制开关器件通断时序，将直流电转换为频率和电压可调的交流电。

    0 次查看

    www.kiaic.com/article/detail/5793.html         2025-07-16

  • 充电器mos,2408MOS管,190a80v,KCY2408A场效应管-KIA MOS管

    KCY2408A场效应管漏源击穿电压80V，漏极电流190A，采用SGT-MOSFET技术，专有新型沟槽工艺制造，??极低导通电阻RDS(开启) 2mΩ，最大限度地降低导通电阻，减少损耗；快速切换能力，确保应用高效率、低损耗，稳定可靠；广泛应用于交流直流快速充电器、同步整流...

    0 次查看

    www.kiaic.com/article/detail/5792.html         2025-07-15

  • 反激电源拓扑,反激拓扑结构原理-KIA MOS管

    升降压电路由电感周期性的充能和放能过程维持均匀的电压输出，且输出电压与输入电压极性相反。将升降压电路中的电感替换成互相耦合的电感N1和N2（也就是变压器）就是反激拓扑。

    0 次查看

    www.kiaic.com/article/detail/5791.html         2025-07-15

  • ​电源管理详解,电源管理芯片工作原理-KIA MOS管

    电源管理芯片广泛应用于消费电子、通信设备、工业控制、汽车电子及新能源等领域。电压调节：如LDO（低压差稳压器），用于将输入电压转换为稳定的输出电压。DC-DC：包括升压(Boost)、降压(Buck)和升降压(Boost-Buck)，用于调整电压以适应不同负载的需求。

    0 次查看

    www.kiaic.com/article/detail/5790.html         2025-07-15

  • 47n60场效应管代换,50a600v,60R065参数资料-KIA MOS管

    47n60场效应管参数代换型号KLM60R065B漏源击穿电压600V，漏极电流50A，极低导通电阻RDS(开启) 50mΩ，最大限度地降低导通电阻，低栅极电荷75nC，减少损耗、提高效率；开关速度快、100%雪崩测试、改进的dv/dt能力、超高坚固性，稳定可靠；广泛应用于高频开关电源...

    0 次查看

    www.kiaic.com/article/detail/5789.html         2025-07-14

  • 电解电容符号,原理,作用详解-KIA MOS管

    电解电容是电容的一种，通常为由金属箔（铝/钽）作为正电极，金属箔的绝缘氧化层（氧化铝/钽五氧化物）作为电介质，阴极由导电材料、电解质（电解质可以是液体或固体）和其他材料共同组成。电解电容器以其正电极的不同分为铝电解电容器和钽电解电容器。

    0 次查看 原理 作用详解-KIA MOS管

    www.kiaic.com/article/detail/5788.html         2025-07-14

5678910
Powered by DY Net+! |SiteMap |Copyright © 广东可易亚半导体科技有限公司 粤ICP备14090673号