|
|
|
结果: 找到相关主题 5075 个
-
【负载开关】延时电路图文分析-KIA MOS管
延时电路一般用在对于上电时序有要求的电路以及负载开始（上电时）较大的电路而言。www.kiaic.com/article/detail/3941.html 2022-12-01
-
开机延迟电路-MOS管多少V才能开启?-KIA MOS管
当开启电压达到MOS管开启电压后MOS管才能打开，DS之间才能导通D1二极管才能点亮，电路中有一颗关键的元器件C1电容，当按下SW1时电压开始给C1充电，只有当电容充到2V以上的时候Q1才会导通，导通之后按下SW2就会熄灭。www.kiaic.com/article/detail/3940.html 2022-11-30
-
分享变频器的四种控制方式-KIA MOS管
变频器也称为变频驱动器或驱动控制器，是可调速驱动系统的一种，是应用变频驱动技术改变交流电动机工作电压的频率和幅度，来平滑控制交流电动机速度及转矩。www.kiaic.com/article/detail/3939.html 2022-11-30
-
四种开关电路图：NMOS、PMOS-KIA MOS管
在电路设计过程中，有时需要“独立”控制几个开关的通与断。例如构造某种波形。晶体管开关能够实现一些开关的通与断不会影响其他开关的通与断，即开关之间相互“独立”，相互“无关”。www.kiaic.com/article/detail/3938.html 2022-11-30
-
CMOS集成电路概念：沟道宽长比-KIA MOS管
本文介绍的数字后端概念是沟道宽长比。是代表着沟道宽度W与沟道长度L的比例。这也是CMOS集成电路的一个基本概念。沟道（channel）是指场效应晶体管中源区和漏区之间的一薄半导体层。是由于外加电场引起的沿长度方向的导电层。www.kiaic.com/article/detail/3937.html 2022-11-29
-
如何降低MOSFET损耗？详细分享-KIA MOS管
导通功率损耗主要来源于功率电流在通态电阻Rds（（on）上产生的热。从公式来看，漏极电流IDS和温度系数K不变的前提下，降低通态损耗的方式/只有降低通态电阻Rds（on）和减小占空比。www.kiaic.com/article/detail/3936.html 2022-11-29
-
IGBT失效模式详细分析-KIA MOS管
根据失效的部位不同，可将IGBT失效分为芯片失效和封装失效两类。引发IGBT芯片失效的原因有很多，如电源或负载波动、驱动或控制电路故障、散热装置故障、线路短路等，但最终的失效都可归结为电击穿和热击穿两种，其中电击穿失效的本质也是温度过高的热击穿失效。...www.kiaic.com/article/detail/3935.html 2022-11-29
-
MOSFET-N沟道 P沟道MOS管的不同点-KIA MOS管
虽然芯片都是硅基，但是掺杂的材质是不同，使得N沟道MOS管是通过电子形成电流沟道；P沟道MOS管是用空穴流作为载流子。www.kiaic.com/article/detail/3934.html 2022-11-28
-
共源级放大电路的小信号图文分析-KIA MOS管
放大电路的小信号分析主要考虑三个参数，放大倍数、输入阻抗和输出阻抗，这三个参数直接影响实际电路中的小信号放大倍数。www.kiaic.com/article/detail/3933.html 2022-11-28
-
【电路图文】共源级放大器偏置设计-KIA MOS管
一个合适的偏置电路设计是放大器工作的前提，偏置电路需要使MOSFET工作在饱和区。如图图1，这是一个MOSFET放大器的最基本电路。www.kiaic.com/article/detail/3932.html 2022-11-28
-
详解MOS管沟道/反型层-KIA MOS管
产生反型层或者使反型层消失，这都可以利用栅极电压来加以控制。使反型层产生或者消失时的栅极电压就是器件的阈值电压VT。对于增强型器件，该阈值电压称为开启电压；对于耗尽型器件，该阈值电压称为夹断电压。www.kiaic.com/article/detail/3931.html 2022-11-25
-
场效应管的跨导gm理解及分析-KIA MOS管
跨导gm（Transconductance）是电子元件的一项属性。电导（G）是电阻（R）的倒数；而跨导则指输出端电流的变化值与输入端电压的变化值之间的比值。www.kiaic.com/article/detail/3930.html 2022-11-25
-
【PMOS NMOS区分】记忆方法、制造工艺-KIA MOS管
1. 与SUB衬底(工艺中为N-Well / P-Well)联接的一端均为S源极，另一端为D漏极。符号中三横线表示三沟道，相联的两条对应一端必为S源极；www.kiaic.com/article/detail/3929.html 2022-11-25
-
NPN和PNP导通、做开关应用分析-KIA MOS管
电路连接中，NPN三极管的B基极一般是控制脚，C集电极接VCC，E发射极接GND；PNP三极管的B基极一般是控制脚，C集电极接GND，E发射极接VCC。www.kiaic.com/article/detail/3928.html 2022-11-24