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二极管伏安特性曲线特点图文分析-KIA MOS管
（1） 在正偏时，当VD很小时，电流接几乎为0。当VD增大到一定阈值后（图中为0.7V左右），电流开始极快地以指数级增长（毫安级）。（2） 在反偏时，反向饱和电流IS维持一个很小值（微安级），不随反偏电压变化。但是当反偏电压达到反向峰值电压PIV时，二极管反向...www.kiaic.com/article/detail/4918.html 2024-04-25
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什么是场效应管的沟道,n沟道和p沟道的区别-KIA MOS管
沟道是指场效应晶体管中源区和漏区之间的一薄半导体层。如MOS结构中当施加外部电场时在半导体表面形成的积累层及反型层。沟道--场效应管内部的导电路径，它连接了源极和漏极。当施加适当的电压或电流时，沟道将成为电子或空穴的主要传导路径。www.kiaic.com/article/detail/4917.html 2024-04-25
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30n03场效应管参数,30n03场效应管代换,30n03参数-KIA MOS管
KIA30N03B场效应管具备出色的性能参数，漏源击穿电压30V，漏极电流30A，采用先进的高细胞密度沟槽技术，具有超低的栅极电荷，RDS（开）参数为15m? @ VDS=30V，较低的导通电阻，有效减少能量损耗，出色的Cdv/dt效应下降，能够有效应对瞬态电压的变化，保障系统...www.kiaic.com/article/detail/4916.html 2024-04-24
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llc电路，llc电路工作原理、作用分享-KIA MOS管
两个电感分别为变压器一次侧漏感(Lr)和励磁电感(Lm)，电容为变压器一次侧谐振电容(Cr)。这些元件构成了一个谐振回路，其中输入电感和输出电感分别与谐振电容串联连接。LLC电路的工作原理是通过控制谐振频率来实现电力转换。LLC电路通过谐振能够实现MOS管的软开...www.kiaic.com/article/detail/4915.html 2024-04-24
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热阻计算公式，热阻的定义，概念详解-KIA MOS管
热阻的计算公式是R=(T1-T2)/P。其中：R是热阻。T1是热源温度。T2是散热器温度。P是散热器吸收的热功率。此外，还有其他相关热阻计算公式，如通用公式：Tcmax=TJ-P*(RJC+RCS+RSA)，其中RJC表示芯片内部至外壳的热阻，RCS表示外壳至散热片的热阻，RSA表示散热片到...www.kiaic.com/article/detail/4914.html 2024-04-24
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lc滤波电路原理,lc滤波电路公式、计算-KIA MOS管
LC滤波器也称为无源滤波器，常用于谐波补偿，不需要外加电源。LC滤波器一般是由滤波电容器、电抗器和电阻器适当组合而成，与谐波源并联，除起滤波作用外，还兼顾无功补偿的需要。www.kiaic.com/article/detail/4913.html 2024-04-23
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混合集成电路详解,混合集成电路分类,特点-KIA MOS管
混合集成电路是将半导体集成工艺与薄/厚膜工艺结合而制成的集成电路。是半导体集成电路外围元件的再集成，或称为二次集成。混合集成电路是在基片上用成膜方法制作厚膜或薄膜元件及其互连线，并在同一基片上将分立的半导体芯片、单片集成电路或微型元件混合组装...www.kiaic.com/article/detail/4912.html 2024-04-23
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30n06参数代换,30n06场效应管参数,30n06引脚图中文资料-KIA MOS管
KIA30N06B场效应管是一款先进高密度沟槽技术的电子元件，漏源击穿电压60V，漏极电流25A，具有出色的性能指标，?在VDS为60V时，其RDS(on)仅为25mΩ，表现出超低的电阻特性、良好的Cdv/dt效应下降，为电路提供了更稳定的工作环境、100%的EAS保证具有更高的可靠性...www.kiaic.com/article/detail/4911.html 2024-04-22
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电压反馈详解,电压反馈和电流反馈判断-KIA MOS管
电压反馈（voltagefeedback-VFB），在模拟电路中，若反馈量与输出电压（有时不一定是输出电压，而是取样处的电压）成正比则为电压反馈；若反馈量与输出电流（有时不一定是输出电流，而是取样处的电流）成正比则为电流反馈。www.kiaic.com/article/detail/4910.html 2024-04-22
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atx电源电路图分享，atx电源详解-KIA MOS管
ATX电源（ATX Power Supply）是计算机的工作电源，作用是把交流220V的电源转换为计算机内部使用的直流5V，12V，24V的电源。www.kiaic.com/article/detail/4909.html 2024-04-22
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场效应管6035参数,大功率350V,开关电源MOS管KIA6035A-KIA MOS管
KIA6035A场效应管的漏源击穿电压高达350V，漏极电流可达11A，适用于各种高压应用场合，RDS（ON）仅为0.38Ω，在10V的VGS下表现出色、低栅极电荷，仅为15nC，有助于提高开关速度和效率、高坚固性和快速切换能力，能够在各种恶劣环境下稳定工作、还具有指定的雪崩...www.kiaic.com/article/detail/4908.html 2024-04-19
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晶振电路的作用,原理,有源无源晶振电路图-KIA MOS管
晶振电路是用于产生稳定频率的电子电路，晶振电路使用了一块称为晶体谐振器（Crystal Resonator）的英晶体。晶体谐振器具有谐振频率，在电路中通过激励晶体谐振器，它会以其固有的谐振频率开始振荡。这种振荡频率非常稳定，主要作用是提供一个精确而稳定的时钟...www.kiaic.com/article/detail/4907.html 2024-04-19
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印刷电路板的化学方程式,印刷电路板制作过程-KIA MOS管
印刷电路板PCB（PrintedCircuitBoard），又称印刷电路板、印刷线路板，是重要的电子部件，是电子元器件的支撑体，主要作用是连接和支持电子元器件，并实现它们之间的电气连接。由于它是采用电子印刷术制作的，故被称为“印刷”电路板。www.kiaic.com/article/detail/4906.html 2024-04-19
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4820场效应管参数引脚图,200V 9A,KNX4820B中文资料-KIA MOS管
KNX4820B场效应管漏源击穿电压200V，漏极电流9A，采用了专有新型平面技术，是一款高性能的器件，RDS（ON），典型=250mΩ@VGS=10V，保证了稳定的工作状态、低栅极电荷的最小化设计，有效降低了开关损耗，提升了能效、配备快速恢复体二极管，有效提高器件的响应速...www.kiaic.com/article/detail/4905.html 2024-04-18