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图文收藏|电气符号大全,电气符号大全图解-KIA MOS管
电气图形符号由一般符号、符号要素、限定符号和方框符号组成。读懂电路图首先应建立图形符号与电气设备或部件的对应关系以及明确文字标识的含义，才能了解电路图所表达的功能、连接关系以及工作流程。我们在识读电路图时，了解清楚了这些常用的图形符号，工作中...www.kiaic.com/article/detail/4904.html 2024-04-18
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什么是mos管的静态参数,静态特性？详解-KIA MOS管
漏源击穿电压。（D端-S端所能承受电压值，受制于内藏二极管的耐压，条件：VGS=0，ID=250uA时，与温度成正比）是指栅源电压 VGS 为 0 时，场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压。www.kiaic.com/article/detail/4903.html 2024-04-18
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40v pmos管,P40v MOS管,场效应管TO-252/DFN5X6-KIA MOS管
RDS(ON)=3.2mΩ (typ.) @ VGS=-10V漏极电流 (ID) ：-100A漏源击穿电压 (VDS(ON)) ：-40V栅极电荷（Qg）：115 nC功耗 (PDM) ：83Wwww.kiaic.com/article/detail/4902.html 2024-04-17
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星三角启动电路图,星三角启动电路原理-KIA MOS管
图为星三角降压启动电路图，QS为断路器，KM1主接触器，KM2星形连接接触器，KM3角形连接接触器，FR热继电器，KT时间继电器（通电延时型），SB1停止按钮，SB2启动按钮。www.kiaic.com/article/detail/4901.html 2024-04-17
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lc振荡电路四个过程,lc振荡电路充放电过程-KIA MOS管
振荡电路是由一个电容器与一个自感线圈串联而成的，称为 LC 电路（LC circuit）。LC振荡电路通过利用电感和电容元件之间的电磁相互耦合，实现了电能和磁能的相互转换，从而产生振荡电流。www.kiaic.com/article/detail/4900.html 2024-04-17
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P30v mos管,30V PMOS管,低压MOS场效应管,国产厂家-KIA MOS管
P30v MOS,KPE4403A参数引脚图漏极电流 (ID) ：-5.0A漏源击穿电压 (VDS(ON)) ：-30V栅极电荷（Qg）：6.5 nC功耗 (PDM) ：1.5WRDS(on)=40mΩ(typ)@ VGS=10 Vwww.kiaic.com/article/detail/4899.html 2024-04-16
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锂电池保护板组成,锂电池保护板工作原理-KIA MOS管
充电时，控制IC X1会时刻监测第5脚VDD和第6脚VSS之间的电压，当这个电压大于等于过充截止电压且满足过充电压的延时时间时，X1会通过控制第3脚来关闭MOS管Q2，Q2被关闭之后，充电回路被切断（Q2的体二极管D2也是反向截止的），这个时候，电池只能放电。www.kiaic.com/article/detail/4898.html 2024-04-16
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蜂鸣器原理图，蜂鸣器电路图分享-KIA MOS管
蜂鸣器的发声原理由振动装置和谐振装置组成，而蜂鸣器又分为无源他激型与有源自激型。无源他激型蜂鸣器的工作发声原理是：方波信号输入谐振装置转换为声音信号输出。有源自激型蜂鸣器的工作发声原理是：直流电源输入经过振荡系统的放大取样电路在谐振装置作用下...www.kiaic.com/article/detail/4897.html 2024-04-16
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P60v MOS管,60V PMOS管,TO-252低压MOS管场效应管-KIA MOS管
P60v MOS管,60V PMOS管-KPX8106A参数引脚图RDS(ON)=26mΩ (typ.) @ VGS=-10V漏极电流 (ID) ：-30A漏源击穿电压 (VDS(ON)) ：-60V功耗 (PDM) ：57W栅极电荷（Qg）：40 nCwww.kiaic.com/article/detail/4896.html 2024-04-15
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衬偏效应,衬偏效应和体效应,衬偏效应的影响-KIA MOS管
MOSFET 的体效应（body-effect，也叫衬底调制效应/衬偏效应），主要是来源于 MOS 管的 S-B（Source-Bulk）端之间的偏压对 MOSFET 阈值电压 vth 的影响www.kiaic.com/article/detail/4895.html 2024-04-15
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驱动电路误开通,MOS管驱动电路误开通避免-KIA MOS管
通过调节门极驱动电阻和电容的大小可以来调整 MOSFET 的开通/关断速度：增大门极驱动电阻和电容来减慢MOSFET开通/关断的速度，减小 dv/dt (di/dt) 从而减小门极电压尖峰。www.kiaic.com/article/detail/4894.html 2024-04-15
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高压mos管工作原理，高压mos管厂家-KIA MOS管
高压MOS管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）的核心是其特殊的MOS结构，包括源极、漏极和栅极，以及它们之间的电压控制关系。www.kiaic.com/article/detail/4893.html 2024-04-12
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绝对值电路,运放绝对值电路,原理图文分享-KIA MOS管
绝对值电路可以将输入的带有正负号的数值转换为其绝对值。这是通过对输入信号进行比较和选择来实现的。如果输入信号是正的，则输出与输入相同；如果输入信号是负的，则输出为输入的相反数。绝对值电路是物理电路中数据信息的处理后的一种电路。www.kiaic.com/article/detail/4892.html 2024-04-12
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亚阈值斜率详解，亚阈值斜率计算公式-KIA MOS管
亚阈值斜率S也称亚阈值摆幅，其定义为亚阈值区漏端电流增加一个数量级所需要增大的栅电压，反映了电流从关态到开态的转换陡直度，具体对应于采用半对数坐标的器件转移特性曲线(I-Vos关系)中亚阈值区线段斜率的倒数。www.kiaic.com/article/detail/4891.html 2024-04-12