|
|
|
结果: 找到相关主题 910 个
-
power mosfet电力场效应晶体管特点、结构详解-KIA MOS管
电力MOS场效应管-分为结型和绝缘栅型，通常主要指绝缘栅型中的MOS型（Metal Oxide Semiconductor FET），简称电力MOSFET（Power MOSFET） 结型电力场效应晶体管一般称作静电感应晶体管（Static Induction Transistor——SIT）。 是一种单极型的电压控制全控型器...www.kiaic.com/article/detail/3019.html 2024-03-21
-
什么是数字集成电路,数字集成电路详解-KIA MOS管
数字集成电路是基于数字逻辑（布尔代数）设计和运行的，基于逻辑门搭建的，用于处理数字信号的集成电路。数字电路是用来处理0和1的信号的，在数字电路中，就只有0和1这两个状态。数字电路通过复杂的逻辑门设计，通过简单的0和1这两个状态的组合，就能实现非常复...www.kiaic.com/article/detail/4839.html 2024-03-18
-
lvds电平详解，lvds电平标准-KIA MOS管
LVDS ：低电压差分信号（Low-Voltage Differential Signaling）是一种信号传输模式的电平标准，LVDS传输支持速率一般在155Mbps（大约为77MHz）以上。它采用极低的电压摆幅高速差动传输数据（采用CMOS 工艺的低电压差分信号器件），实现点对点（或则点对多：M-L...www.kiaic.com/article/detail/4838.html 2024-03-18
-
光电传感器,光电传感器原理,作用详解-KIA MOS管
光电传感器是将光信号转换为电信号的一种器件。光电传感器一般由光源、光学通路和光电元件三部分组成。光电传感器是通过把光强度的变化转换成电信号的变化来实现控制的。www.kiaic.com/article/detail/4826.html 2024-03-12
-
详解功率因数校正,功率因数校正电路-KIA MOS管
功率因数定义为设备能够传输到输出端的能量与其从输入电源处获取的总能量之比。对于一个整流电路，在输出端都会并联一个滤波电容(或者一排电容)，以让输出的直流能更平滑，然而滤波电容会造成交流输入电压与输入电流间的相位偏移。www.kiaic.com/article/detail/4818.html 2024-03-07
-
电流源电路详解,电流源电路图分享-KIA MOS管
电流源电路中的电流设定一般都是由钳位住采样电阻上的电压来确定的。流过它的电流形成的电压Vset=0.1V 经仪表放大器放大后输入到运放的负向输入端。www.kiaic.com/article/detail/4812.html 2024-03-05
-
三级管和MOS管的区别,图文详解-KIA MOS管
三级管和MOS管的结构不同，mos管的栅线是用绝缘层和金属网格构成的；而三极管是直接用硅片上的pn结把两个电极连接起来。控制的区别：三极管是电流驱动的，较低的电压就可以驱动三极管，但是三极管需要较大的控制电流; 而MOS管是电压驱动的，驱动电压较高，但是...www.kiaic.com/article/detail/4803.html 2024-02-29
-
双脉冲测试原理,双脉冲测试原理图详解-KIA MOS管
为了评估功率器件的动态参数，通常采取的测量方法是双脉冲测试。通过两个脉冲，去控制器件的开关开关，然后测试在开关过程中的一些参数指标。对比不同开关管参数及性能，同时可以获取开关管开关过程中的参数，评估驱动电阻数值是否合适，是否需要吸收电路等。www.kiaic.com/article/detail/4788.html 2024-02-22
-
密勒补偿详解，运算放大器密勒补偿-KIA MOS管
密勒补偿的作用是将放大器的主极点向低频移动，同时将非主极点向高频移动，从而实现极点分离。这样做可以减小甚至消除零点对系统稳定性的影响。在等效电路中，密勒补偿可以使低频极点被压低1+A倍，其中A是密勒电容值。通过这种方式，可以提高系统的相位裕度，从...www.kiaic.com/article/detail/4776.html 2024-02-18
-
场效应管是什么控制器件？场效应管详解-KIA MOS管
场效应管是一种控制型半导体器件，是一种输入电阻很高的半导体器件，它是利用输入电压控制输出电流的，它的输入端几乎不需要电流，所以它是一种电压控制元件。www.kiaic.com/article/detail/4758.html 2024-01-30
-
x电容和y电容详解,x电容和y电容的作用,区别-KIA MOS管
X电容是跨接在电力线两线之间，即“L-N”之间，X电容器能够抑制差模干扰，通常采取金属化薄膜电容器，电容容量是uF级。X电容多数是方型，也就是类似于盒子的形状，在它的表面一般都标有安全认证标志、耐压字样(一般有AC300V或AC275V)、依靠标准等信息。www.kiaic.com/article/detail/4748.html 2024-01-25
-
mos管的gidl效应,MOSFET泄漏电流详解-KIA MOS管
MOS管的GIDL效应是指在栅极电压较高的情况下，绝缘层下的沟道区域会发生漏电现象的现象。这种现象是由于高电场导致绝缘层中的电子发生穿隧效应，从而形成漏电流。GIDL效应会导致器件的功耗增加、性能下降，并可能引起电流漂移现象。www.kiaic.com/article/detail/4743.html 2024-01-23
-
B值是什么，热敏电阻的B值详解-KIA MOS管
B值是指热敏电阻特定温度下阻值与该温度下对数阻值的斜率的倒数，通常以K为单位。B值越大，温度系数越小，温度变化时电阻值的变化幅度也就越小。热敏电阻是一种温度感应元件，其电阻值会随着温度的变化而发生改变。www.kiaic.com/article/detail/4739.html 2024-01-22
-
平带电压详解，MOS平带电压图文分享-KIA MOS管
当半导体内没有能带弯曲时所加的栅压，此时表面势为零,净空间电荷为零，但由于功函数差和氧化层内可能存在的陷阱电荷，此时穿过氧化物的电压不一定为零。www.kiaic.com/article/detail/4731.html 2024-01-17