KIA2N60HP场效应管漏源击穿电压600V,漏极电流2A,低导通电阻RDS(开启) 4.1Ω,...KIA2N60HP场效应管漏源击穿电压600V,漏极电流2A,低导通电阻RDS(开启) 4.1Ω,最大限度地减少导电损耗;具有低栅极电荷(典型值9nC)、高耐用性、快速切换能力,...
SMA封装(DO-214AC) 尺寸4.5×2.5mm,引脚间距1.27mm,高度仅1.1mm,采用扁平...SMA封装(DO-214AC) 尺寸4.5×2.5mm,引脚间距1.27mm,高度仅1.1mm,采用扁平矩形结构,引脚呈鸥翼型(J形)。 2. SMB封装(DO-214AA) 尺寸4.5×3.5mm,引脚...
表面贴装式是MOSFET的管脚及散热法兰焊接在PCB板表面的焊盘上。典型表面贴装式...表面贴装式是MOSFET的管脚及散热法兰焊接在PCB板表面的焊盘上。典型表面贴装式封装有:晶体管外形(D-PAK)、小外形晶体管(SOT)、小外形封装(SOP)等。
KIA100N03AD场效应管漏源击穿电压30V,漏极电流为90A,采用KIA半导体的先进平面...KIA100N03AD场效应管漏源击穿电压30V,漏极电流为90A,采用KIA半导体的先进平面条纹DMOS技术制造,极低RDS(on)=3.3mΩ,最小化通态电阻,提供了优越的开关性能;...
AC220V电源经共模滤波器L1引入,能较好抑制从电网进入的和从电源本身向辐射的高...AC220V电源经共模滤波器L1引入,能较好抑制从电网进入的和从电源本身向辐射的高频干扰,交流电压经桥式整流电路、电容C4滤波成为约280V的不稳定直流电压,作为由振...