电动车报警器专用场效应管KIA35P10AD漏源击穿电压-100V，漏极电流-35A，采用KI...电动车报警器专用场效应管KIA35P10AD漏源击穿电压-100V，漏极电流-35A，采用KIA先进的沟槽技术制造，优秀的QgxRDS(on)产品(FOM)，提供卓越的开关性能；低导通电阻...
从运放这张图中，可以看出这就是一个反相积分电路，当输入电阻较大时，开关速度...从运放这张图中，可以看出这就是一个反相积分电路，当输入电阻较大时，开关速度比较缓慢，Cgd这颗积分电容影响不明显，但是当开关速度比较高，而且VDD供电电压比较...
当Q3基极输入高电平时，三极管导通，Q1、Q2的栅极都被拉到0V，Q1通过体二极管，...当Q3基极输入高电平时，三极管导通，Q1、Q2的栅极都被拉到0V，Q1通过体二极管，符合条件（Vgs<0）先导通，接着Q2的源极S端电压大于栅极G端电压（Vgs
KNY3403A场效应管漏源击穿电压30V，漏极电流85A，采用KIA先进的沟槽技术，低导...KNY3403A场效应管漏源击穿电压30V，漏极电流85A，采用KIA先进的沟槽技术，低导通电阻RDS(开启) 4.5mΩ，最大限度地减少导电损耗，减少导通损耗、提供卓越的开关性...
两个PMOS接在上边作为上桥臂，两个NMOS接在下边作为下桥臂，要想让PMOS导通，那...两个PMOS接在上边作为上桥臂，两个NMOS接在下边作为下桥臂，要想让PMOS导通，那么PMOS栅极的电压就要低于源极的电压，而且栅源之间的电压要低于开启电压。
