KIA2N60HP场效应管漏源击穿电压600V，漏极电流2A，低导通电阻RDS(开启) 4.1Ω，...KIA2N60HP场效应管漏源击穿电压600V，漏极电流2A，低导通电阻RDS(开启) 4.1Ω，最大限度地减少导电损耗；具有低栅极电荷（典型值9nC）、高耐用性、快速切换能力，...
SMA封装（DO-214AC） 尺寸4.5×2.5mm，引脚间距1.27mm，高度仅1.1mm，采用扁平...SMA封装（DO-214AC） 尺寸4.5×2.5mm，引脚间距1.27mm，高度仅1.1mm，采用扁平矩形结构，引脚呈鸥翼型（J形）。 2. SMB封装（DO-214AA） 尺寸4.5×3.5mm，引脚...
表面贴装式是MOSFET的管脚及散热法兰焊接在PCB板表面的焊盘上。典型表面贴装式...表面贴装式是MOSFET的管脚及散热法兰焊接在PCB板表面的焊盘上。典型表面贴装式封装有：晶体管外形（D-PAK）、小外形晶体管（SOT）、小外形封装（SOP）等。
KIA100N03AD场效应管漏源击穿电压30V，漏极电流为90A，采用KIA半导体的先进平面...KIA100N03AD场效应管漏源击穿电压30V，漏极电流为90A，采用KIA半导体的先进平面条纹DMOS技术制造，极低RDS(on)=3.3mΩ，最小化通态电阻，提供了优越的开关性能；...
AC220V电源经共模滤波器L1引入，能较好抑制从电网进入的和从电源本身向辐射的高...AC220V电源经共模滤波器L1引入，能较好抑制从电网进入的和从电源本身向辐射的高频干扰，交流电压经桥式整流电路、电容C4滤波成为约280V的不稳定直流电压，作为由振...
