在便携式电源、锂电池保护、DC-DC模块、小型负载开关等高密度PCB设计中，小封装...在便携式电源、锂电池保护、DC-DC模块、小型负载开关等高密度PCB设计中，小封装、大电流、低内阻MOS管已成为核心器件。KIA半导体推出的KNG3703A凭借30V/50A、DFN3...
当开关管导通时，储能电感储存能量；开关管截止时，电感中储存的能量与输入电压...当开关管导通时，储能电感储存能量；开关管截止时，电感中储存的能量与输入电压叠加，使输出电压高于输入电压。
MOS管选型关键 1.耐压值（Vds） 应高于系统最大工作电压，并留有220%裕量。例...MOS管选型关键 1.耐压值（Vds） 应高于系统最大工作电压，并留有220%裕量。例如48V系统建议选用100V以上MOS管。 高压应用（如400VEV电池）需选用650V～1000V器...
11n40,11n40c参数 最大漏源电压：400V 最大连续漏极电流：10.5A 最大导通电...11n40,11n40c参数 最大漏源电压：400V 最大连续漏极电流：10.5A 最大导通电阻：0.53Ω（典型值）
nce6050ka参数 漏源击穿电压（Vdss）：60V 连续漏极电流（Id）：50A 漏源导...nce6050ka参数 漏源击穿电压（Vdss）：60V 连续漏极电流（Id）：50A 漏源导通电阻（Rds(on)）：典型值小于20mΩ，部分测试条件下可低至13.8mΩ
