R4、C3、R5、R6、C4、D1、D2组成缓冲器，和开关MOS管并接，使开关管电压应力减...R4、C3、R5、R6、C4、D1、D2组成缓冲器，和开关MOS管并接，使开关管电压应力减少，EMI减少，不发生二次击穿。在开关管Q1关断时，变压器的原边线圈易产生尖峰电压和...
在输入控制回路中，电阻R1串接在IC1光电耦合器输入端对其发光管进行限流保护，...在输入控制回路中，电阻R1串接在IC1光电耦合器输入端对其发光管进行限流保护，发光管LED对输入控制信号给予指示，VD1对输入端的反偏电压进行保护。当控制端无信号...
KCP2915B场效应管漏源击穿电压150V，漏极电流130A，采用先进的SGT、沟槽MOS技术...KCP2915B场效应管漏源击穿电压150V，漏极电流130A，采用先进的SGT、沟槽MOS技术设计，高效率低损耗；极低导通电阻RDS(on) 7.3mΩ，低栅极电荷，可最大限度地减少导...
输入信号处理：电机控制器接收来自外部的控制信号，如模拟信号、数字信号等。这...输入信号处理：电机控制器接收来自外部的控制信号，如模拟信号、数字信号等。这些信号经过处理后，用于控制电机的运行状态。 微处理器控制：微处理器是电机控制器...
MOSFET的阈值电压Vgs（th)具有负温度系数，这意味着随着温度的升高，阈值电压会...MOSFET的阈值电压Vgs（th)具有负温度系数，这意味着随着温度的升高，阈值电压会降低。这是因为温度升高会导致半导体材料中的载流子浓度增加，使得沟道中的载流子更...
