当控制端为高电平时，三极管Q5导通，Q3和Q4的栅极被拉低到0V，Q3通过体二极管导...当控制端为高电平时，三极管Q5导通，Q3和Q4的栅极被拉低到0V，Q3通过体二极管导通，接着Q4导通，负载端得到Vin电压。 当控制端为低电平时，三极管Q9断开，Q3与Q4...
KIA13N50HF场效应管漏源电压500V，漏极电流13A，低导通电阻RDS(开启) 0.4Ω，最...KIA13N50HF场效应管漏源电压500V，漏极电流13A，低导通电阻RDS(开启) 0.4Ω，最大限度地减少导电损耗，低栅极电荷（典型值45nC），降低开关损耗，性能高效；具有快...
DFN5x6封装是一种表面贴装半导体封装形式，“DFN”代表双侧扁平无引线封装（Du...DFN5x6封装是一种表面贴装半导体封装形式，“DFN”代表双侧扁平无引线封装（Dual Flat No-leads），而“5x6”则指其外部尺寸约为5毫米×6毫米。这种封装是随着半导...
碳化硅(SiC)，是由碳元素和硅元素组成的一种半导体材料。碳化硅是宽禁带半导体...碳化硅(SiC)，是由碳元素和硅元素组成的一种半导体材料。碳化硅是宽禁带半导体材料的一种，主要特点是高热导率、高饱和以及电子漂移速率和高击场强等，因此被应用...
KIA12N60HF场效应管漏源击穿电压600V，漏极电流12A，低导通电阻RDS(开启) 0.53...KIA12N60HF场效应管漏源击穿电压600V，漏极电流12A，低导通电阻RDS(开启) 0.53Ω，最大限度地减少导电损耗，超低栅极电荷52nC，高效低耗；快速切换能力、改进的dv...
