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mos管场效应管​功率规格型号有哪些?

信息来源:本站 日期:2017-08-02 

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功率规格:PD、Ptot、IDR、IS

PD、Ptot的含义略有差别,有些制造商则会忽略了两者的差别。通常所说的“多少瓦”的管子就是指的PD、Ptot额定值。

PD的含义是“Under Specified Heat Conditions,Maximum Allowable Val-ue of Constant Drain Power Dissipation”(给定散热条件下,漏极允许的最大连续功耗),没有明确说明的情况下,包括VMOS管芯本身与体二极管的功耗。给定散热条件只是定义了测试条件,对测试结果并无影响。

Ptot的含义是“Total Dissipation”(总耗散功率),明确表示包括了体二极管的功耗。

耗散功率指的是晶体管自身能够消耗的最大电功率,这些电功率都转化成了热能,因此也可以理解为晶体管自身发散热最的能力。

如果一份技术文档明确指出PD只是管芯的功率耗散能力,那么Ptot就约等于PDX2。这是因为VMOS管芯本身与体二极管的功率耗散能力几乎是一样的。

一般情况下,如果制造商分别给出了VMOS管芯与体二极管的耗散功率,这时候的VMOS多半是采用了与肖特基二极管相当的体二极管,如SiC体二极管,这样的体二极管的自身功耗小,功率耗散能力也相对要小一些。如果是低速应用,就要适当地降低PD,因为低速情况下高速体二极管的优势是难以体

现的。

PD是容易让入门者误解的数据,不少入门者会误认为这是:VMOS的功率输出能力。当然,VMOS要输出功率,PD也是必需的,尽管如此,二者并没有必然的联系。

技术手册中给出的是PD的最大值,如果把VMOS看作一个人,PD就可以视为一个人的饭量,这个人的力气就好比是功率输出能力。尽管人力上的饭量一般都很大,但是饭量大的人可不一定是人力土。


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