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pmos晶体管和nmos晶体管器件有什么差别|耗尽型晶体管有什么优势

信息来源:本站 日期:2017-08-09 

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增强型是基本的MOS晶体管

在前面涉及的MOS晶体管的工作中,NMOS晶体管的阈值电压VTN是正值,当VGS= OV时就没有漏极电流流动,这样的晶体管称为增强型晶体管( enhancementtransistor)。图2.10示出增强型NMOS晶体管的电流-电压特性。

mos管


耗尽型—使VGS=OV也有漏极电流流动的器件

与此相对应,也能制造出具有负阈值电压的NMOS晶体管。如图2.11所示,栅氧化膜下方是高浓度的n型掺杂层,那么即使VGS=OV,也可以形成电子流的通路,使漏极电流流动,这样的晶体管称为耗尽型晶体管(depletion transistor)。增强型NMOS晶体管的阈值电压VTN在ov以上,而耗尽型NMOS晶体管的阈值电压VTN则在OV以下。


相反,PMOS晶体管中,增强型晶体管的阈值电压是OV以下,而耗尽型PMOS晶体管的阈值电压则在ov以上。

图2. 12示出耗尽型NMOS晶体管的电流—电压特性。表2.2列出了MOS晶体管的种类以及阈值电压的极性。


耗尽型MOS晶体管的OFF状态发生在栅极加负的电压,使栅极—源极间电压处于VGS


耗尽型晶体管对于模拟电路设计来说是一种很方便的器件。例如,使用耗尽型晶体管的1V以下的电源电压下工作的rail to rail工作的OP放大器。另外,如图2. 14所示,栅极和源极接地的耗尽型NMOS晶体管可以作为电流源使用。由于VGS=o,所以漏极电流可以表示为

式中,VTND是耗尽型NMOS晶体管的阈值电压。




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