MOSFET VI 特性用于控制直流电机的速度，电机的正偏置端子连接到MOS管的源极端...MOSFET VI 特性用于控制直流电机的速度，电机的正偏置端子连接到MOS管的源极端子，负端子连接到Gnd。 MOS管的漏极引脚直接连接到电源正极引脚。栅极端子连接到 RV...
通过控制输入口P00的高低电平来实现电机正反转，当P00为低电平时，Q4截止，Q3导...通过控制输入口P00的高低电平来实现电机正反转，当P00为低电平时，Q4截止，Q3导通，Q1和Q6导通，Q2和Q5截止，直流电机左端为正极，右端为负极，电机正转（反转）；...
KIA75NF75场效应管采用先进的技术，漏源击穿电压80V，漏极电流80A，导通电阻RD...KIA75NF75场效应管采用先进的技术，漏源击穿电压80V，漏极电流80A，导通电阻RDS(开启) 7mΩ，最大限度地减少导电损耗，提高效率；高雪崩电流，在运行时承受更高的...
正转接触器吸合时：接触器的进线端1和3与出线端2和4四个触点连一起接火线，也就...正转接触器吸合时：接触器的进线端1和3与出线端2和4四个触点连一起接火线，也就等同于U1VI1接火线。进线端5和出线端6短接接零线，也就等同于U2Z2连一起接零线。反...
按下SB1→SB1动断触头先分断对KM2互锁、SB1动合触头后闭合→KM1线圈通电→KM1自...按下SB1→SB1动断触头先分断对KM2互锁、SB1动合触头后闭合→KM1线圈通电→KM1自锁触头闭合自锁、KM1互锁触头分断对KM2互锁、KM1主触头闭合→电动机M启动连续正转。...
KND3508B是N沟道场效应管，VDS=80V，ID=70A，RDS(on)=8.7mΩ，低导通电阻、低栅...KND3508B是N沟道场效应管，VDS=80V，ID=70A，RDS(on)=8.7mΩ，低导通电阻、低栅电荷、高雪崩能力；采用TO-252贴片封装，体积小、散热好，适合高密度PCB设计；经过...
