电源从左侧正常输入时： 当VCC有效时，PMOS的体二极管率先导通，随后S极的电压...电源从左侧正常输入时： 当VCC有效时，PMOS的体二极管率先导通，随后S极的电压由先前的0V变成了（VCC-0.7），此时Vgs = 0 -（VCC-0.7）= -VCC+0.7。
SOT-89是表面贴装晶体管封装形式之一，主要用于中功率场景。 SOT-89封装尺寸规...SOT-89是表面贴装晶体管封装形式之一，主要用于中功率场景。 SOT-89封装尺寸规范： 主体尺寸4.5mm（长）×2.45mm（宽）×1.55mm（高） 引脚布局：3/5引脚配置，...
KNF7150A场效应管漏源击穿电压500V，漏极电流20A，采用专有平面技术制造，极...KNF7150A场效应管漏源击穿电压500V，漏极电流20A，采用专有平面技术制造，极低导通电阻RDS(开启) 0.24Ω，最大限度地减少导电损耗，低栅极电荷，有效降低开关损...
充电器从220V的交流电开始工作。一端通过一个4007型号的半波整流器，另一端则连...充电器从220V的交流电开始工作。一端通过一个4007型号的半波整流器，另一端则连接一个10欧姆的电阻，然后通过一个10微法拉的电容器进行滤波。这个10欧姆的电阻起到...
当输入端3.3V为低电平时，D1导通，输出端1.8V为低电平，实现两端都为低电平。当...当输入端3.3V为低电平时，D1导通，输出端1.8V为低电平，实现两端都为低电平。当输入端3.3V为高电平时，D1截止，输出端被R1上拉至1.8V，为高电平，实现两端都为高电...
KNF3725A场效应管漏源击穿电压250V，漏极电流50A，采用独家平面技术制造，极低...KNF3725A场效应管漏源击穿电压250V，漏极电流50A，采用独家平面技术制造，极低导通电阻RDS(开启) 45mΩ，最大限度地减少导电损耗，低栅极电荷，有效降低开关损耗，...
