变压器隔离驱动电路基于电磁感应定律和电绝缘隔离原理，当原边绕组施加交流电压...变压器隔离驱动电路基于电磁感应定律和电绝缘隔离原理，当原边绕组施加交流电压时，产生交变磁场，副边绕组通过电磁感应产生电动势。通过控制原边绕组的占空比信号...
直流电子负载是通过控制内部功率（MOSFET）或晶体管的导通量（量占空比大小），...直流电子负载是通过控制内部功率（MOSFET）或晶体管的导通量（量占空比大小），依靠功率管的耗散功率消耗电能的设备。 直流电子负载的核心是通过功率器件（如MOS...
irf3205场效应管代换型号KNP3106N漏源击穿电压60V，漏极电流110A ，采用新型...irf3205场效应管代换型号KNP3106N漏源击穿电压60V，漏极电流110A ，采用新型平面技术制造，极低导通电阻RDS(开启) 7mΩ，减少开关损耗，提高效率；具有卓越的性...
晶圆级封装（Wafer Level Packaging，WLP），是一种直接在晶圆上完成大部分或全...晶圆级封装（Wafer Level Packaging，WLP），是一种直接在晶圆上完成大部分或全部封装测试程序，再进行切割制成单颗组件的先进封装技术 。 WLP基本工艺是在晶圆完...
NMOS的电流方向在标准导通状态下为漏极（D）到源极（S），但在特定电路设计（如...NMOS的电流方向在标准导通状态下为漏极（D）到源极（S），但在特定电路设计（如防反接电路）中可能反向流动（S到D）。 MOS管的导通条件取决于NMOS或PMOS类型和阈...
60r180场效应管漏源击穿电压600V，漏极电流20A ，采用先进的沟槽技术制造，极低...60r180场效应管漏源击穿电压600V，漏极电流20A ，采用先进的沟槽技术制造，极低导通电阻RDS(开启) 160mΩ，低栅极电荷Qg=33.5nC，减少开关损耗，提高效率；具备高...
