KND3308A场效应管漏源击穿电压80V，漏极电流80A，极低的导通电阻RDS(开启) 6.2...KND3308A场效应管漏源击穿电压80V，漏极电流80A，极低的导通电阻RDS(开启) 6.2mΩ，最大限度地减少导电损耗；具有高雪崩电流，能够在额定工作条件下稳定运行，确保...
铜损主要是由于变压器线圈的电阻引起的，包括直流电阻损耗和集肤效应电阻损耗。...铜损主要是由于变压器线圈的电阻引起的，包括直流电阻损耗和集肤效应电阻损耗。直流电阻损耗由绕组导线的电阻与流过的电流有效值的平方决定，而集肤效应是由于在强...
电阻和电容并联阻抗计算 Z = 1/√[(1/R)² + (1/XL - 1/XC)²] 其中： R 为...电阻和电容并联阻抗计算 Z = 1/√[(1/R)² + (1/XL - 1/XC)²] 其中： R 为电阻值 XL 为电感的感抗，其公式为 XL = 2πfL，其中 f 为交流电频率，L 为电感值 ...
KIA2300场效应管漏源击穿电压20V, 漏极电流最大值为6A ，极低RDS（on）的高密度...KIA2300场效应管漏源击穿电压20V, 漏极电流最大值为6A ，极低RDS（on）的高密度单元设计、、优越的开关性能、可最大限度地减少导通损耗，无铅产品、坚固可靠；应用...
通过在电极上储存电荷来储存电能。当电容器两端施加电压时，正极板吸引电子使其...通过在电极上储存电荷来储存电能。当电容器两端施加电压时，正极板吸引电子使其带上负电荷，而负极板则因失去电子而带上正电荷。这样，两个极板之间形成了电场，电...
当漏源电压（VDS）连接在漏极和源极之间时，正电压施加到漏极，负电压施加到源...当漏源电压（VDS）连接在漏极和源极之间时，正电压施加到漏极，负电压施加到源极。在这里，漏极的Pn结是反向偏置的，而源极的Pn结是正向偏置的。在这个阶段，漏极...
