电源稳压器主要由输入端、输出端、比较器、控制器、功率元件（如晶体管、可控硅...电源稳压器主要由输入端、输出端、比较器、控制器、功率元件（如晶体管、可控硅等）以及可能包括的伺服电机、调压变压器、补偿变压器等组成。 电源稳压器的工作原...
直流升压器是一种将直流电压升高的电力电子设备，直流升压器通过高频振荡产生低...直流升压器是一种将直流电压升高的电力电子设备，直流升压器通过高频振荡产生低压脉冲，经脉冲变压器升压后，再通过整流和滤波获得所需的高压直流电。其输出电压通...
KNP4890A场效应管漏源击穿电压900V，漏极电流9A，采用先进的平面加工技术制造，...KNP4890A场效应管漏源击穿电压900V，漏极电流9A，采用先进的平面加工技术制造，低导通电阻RDS（ON）=1.2Ω，低栅极电荷，能够最大限度地减少导电损耗，最小化开关...
CMOS电路由PMOS（P沟道）管和NMOS（N沟道）管通过互补对称方式连接，形成推挽式...CMOS电路由PMOS（P沟道）管和NMOS（N沟道）管通过互补对称方式连接，形成推挽式工作模式。在基本反相器中，PMOS作为上拉管，NMOS作为下拉管，两者交替导通实现逻辑...
NMOS：以P型半导体为衬底，两侧为N型扩散区（源极S与漏极D），形成N型导电沟道...NMOS：以P型半导体为衬底，两侧为N型扩散区（源极S与漏极D），形成N型导电沟道。 PMOS：以N型半导体为衬底，两侧为P型扩散区，形成P型导电沟道。
KNH8150A场效应管漏源击穿电压500V，漏极电流30A，采用先进的平面加工技术制造...KNH8150A场效应管漏源击穿电压500V，漏极电流30A，采用先进的平面加工技术制造，低导通电阻RDS(开启) 150mΩ（典型值）@VGS=10V，最大限度地降低导通电阻，低栅...
