KNF4N65F场效应管漏源击穿电压650V，漏极电流4A，采用先进平面工艺制造，极低导...KNF4N65F场效应管漏源击穿电压650V，漏极电流4A，采用先进平面工艺制造，极低导通电阻RDS(开启) 2.4Ω，最大限度地减少导电损耗，低栅极电荷，开关速度快，降低开...
在输入交流波形二极管的正半周期期间，D1 和 D2 正向偏置，D3 和 D4 反向偏置。...在输入交流波形二极管的正半周期期间，D1 和 D2 正向偏置，D3 和 D4 反向偏置。当电压超过二极管D1 和 D2 的阈值电平时，开始导通 - 负载电流开始流过它，如下图红...
KCT040N10N场效应管漏源击穿电压100V，漏极电流120A ，采用先进的MOS技术制造，...KCT040N10N场效应管漏源击穿电压100V，漏极电流120A ，采用先进的MOS技术制造，极低导通电阻RDS(开启) 3.6mΩ，卓越的QgxRDS（on）产品（FOM），最大限度地减少导...
当S1导通S2断开时，相当于用电感将输入源VIN短路，电感电流就会以固定斜率增长...当S1导通S2断开时，相当于用电感将输入源VIN短路，电感电流就会以固定斜率增长，此时电感就在蓄能了。 直到S2导通S1断开，由于电感电流不会跳变，电感电流继续沿...
升压变压器是一种能够在次级产生比施加到初级的电压更高的电压的变压器，工作原...升压变压器是一种能够在次级产生比施加到初级的电压更高的电压的变压器，工作原理基于电磁感应，即通过互由共同磁通量耦合的两个电路之间的感应来实升压。当交流电...
KCT032N10N场效应管漏源击穿电压100V，漏极电流120A ，采用先进的MOS技术制造，...KCT032N10N场效应管漏源击穿电压100V，漏极电流120A ，采用先进的MOS技术制造，极低导通电阻RDS(开启) 3.5mΩ，卓越的QgxRDS（on）产品（FOM），减少损耗，开关速...
