MOS管在功率放大电路中具有高频响应快、导通损耗低和驱动效率高等核心优势；广...MOS管在功率放大电路中具有高频响应快、导通损耗低和驱动效率高等核心优势；广泛应用于专业音响系统、舞台设备、汽车电子和射频功率放大等领域。 1.高效率与大功...
当漏源短接时测得的栅极到源极之间的总电容，它等于栅源电容Cgs加上栅漏电容Cg...当漏源短接时测得的栅极到源极之间的总电容，它等于栅源电容Cgs加上栅漏电容Cgd。这个参数对于驱动电路的设计至关重要，因为它决定了驱动器需要提供的最大充电电流...
KNF6145A场效应管漏源击穿电压450V，漏极电流10A，采用专有新型平面技术制造，...KNF6145A场效应管漏源击穿电压450V，漏极电流10A，采用专有新型平面技术制造，极低导通电阻RDS（ON）0.39Ω（典型值），最大限度地降低导通电阻，超低栅极电荷，减...
步进电机控制器通过发出脉冲信号来驱动步进电机，实现对电机转动角度、速度和方...步进电机控制器通过发出脉冲信号来驱动步进电机，实现对电机转动角度、速度和方向的精确控制，是一种专门用于控制步进电机运行的设备。
碳化硅MOSFET（SiC MOSFET）的工作频率可达1MHz甚至更高，高频特性显著优于传统...碳化硅MOSFET（SiC MOSFET）的工作频率可达1MHz甚至更高，高频特性显著优于传统器件。
KIA08TB60DD快恢复二极管开关特性好、反向恢复时间短，适用于高频开关电源和逆...KIA08TB60DD快恢复二极管开关特性好、反向恢复时间短，适用于高频开关电源和逆变器场景；反向恢复时间仅需25纳秒（典型值）；高温稳定性结温可达175℃，采用高温玻...
