如图电源端（高压侧）的两个N沟道功率MOSFET的充电和放电是一种常见的PCM方案，...如图电源端（高压侧）的两个N沟道功率MOSFET的充电和放电是一种常见的PCM方案，其漏极背靠背连接。 Q1是用于电池放电的功率MOSFET，Q2是用于电池充电的功率MOSFET...
施加正向电压：当晶闸管的阳极和阴极之间施加正向电压时，晶闸管并不会立即导通...施加正向电压：当晶闸管的阳极和阴极之间施加正向电压时，晶闸管并不会立即导通。 触发信号注入：此时，需要在门极和阴极之间注入一个正向触发脉冲信号。 晶闸管...
KNF6140S场效应管漏源击穿电压400V，漏极电流11A，极低导通电阻RDS(on)=0.53Ω...KNF6140S场效应管漏源击穿电压400V，漏极电流11A，极低导通电阻RDS(on)=0.53Ω，低栅极电荷15.7nC，可最大限度地减少导电损失；具有高坚固性、快速切换、100%雪崩...
它在B处提供一系列窄脉冲，当电容充电到UT的峰值电压(V_)时，UJT开启。这会在发...它在B处提供一系列窄脉冲，当电容充电到UT的峰值电压(V_)时，UJT开启。这会在发射极–基极1结上放置一个低电阻，并且发射极电流流过脉冲变压器的初级，将栅极信号...
分立器件 结构：在硅片上通过掺杂、扩散等工艺形成，通常只有一个或少数几个P...分立器件 结构：在硅片上通过掺杂、扩散等工艺形成，通常只有一个或少数几个PN结。 功能：具有单独功能的电子器件，如二极管、晶体管等。
KND6610A场效应管漏源击穿电压100V，漏极电流15A，采用先进的平面沟槽技术，...KND6610A场效应管漏源击穿电压100V，漏极电流15A，采用先进的平面沟槽技术，极低导通电阻RDS(on)=83mΩ，可最大限度地减少导电损失，提供卓越的开关性能，并能够...
