sip封装是将多个具有不同功能的有源电子元件与可选无源器件，以及诸如MEMS或者...sip封装是将多个具有不同功能的有源电子元件与可选无源器件，以及诸如MEMS或者光学器件等其他器件优先组装到一起，实现一定功能的单个标准封装件，形成一个系统或...
快恢复二极管（FRD）是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半导体二极管...快恢复二极管（FRD）是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半导体二极管，主要应用于开关电源、PWM脉宽调制器、变频器等电子电路中。
KCT2213A场效应管漏源击穿电压135V，漏极电流200A ，采用先进的SGT技术，极低导...KCT2213A场效应管漏源击穿电压135V，漏极电流200A ，采用先进的SGT技术，极低导通电阻RDS(开启) 2.9mΩ，低栅极电荷（151nC），最小化开关损耗，性能卓越；改进的...
稳压二极管(zener diode)，又叫齐纳二极管；利用PN结反向击穿状态，呈现极小的...稳压二极管(zener diode)，又叫齐纳二极管；利用PN结反向击穿状态，呈现极小的电阻，其电流可在很大范围内变化而电压基本不变的现象，起稳压作用。
单结晶体管有三个电极，分别称为第一基极b1、第二基极b2、发射极e。单结晶体管...单结晶体管有三个电极，分别称为第一基极b1、第二基极b2、发射极e。单结晶体管虽然有三个电极，但在结构上只有一个PN结，它是在一块高电阻率的N型硅基片一侧的两端...
KCT1004M场效应管漏源击穿电压40V, 漏极电流320A ，采用先进的SGT技术，高压器...KCT1004M场效应管漏源击穿电压40V, 漏极电流320A ，采用先进的SGT技术，高压器件新技术，低导通电阻和低传导损耗，性能优越；极低导通电阻RDS(开启) 0.62mΩ，超...
