双向DC-DC变换器通常由高频变压器、IGBT/MOSFET等开关器件及储能元件（如电感、...双向DC-DC变换器通常由高频变压器、IGBT/MOSFET等开关器件及储能元件（如电感、电容）组成。双向DC-DC变换电路通过电力电子器件实现直流电的双向传输与转换，通过...
KND2906A场效应管漏源击穿电压60V，漏极电流130A；采用先进的沟槽技术制造，极...KND2906A场效应管漏源击穿电压60V，漏极电流130A；采用先进的沟槽技术制造，极低导通电阻RDS(开启) 5.5mΩ，低栅极电荷，最大限度地减少导电损耗，提高效率；具有...
逆变电路：逆变器的核心部分，由半导体开关元件（如MOSFET、IGBT等）组成的全桥...逆变电路：逆变器的核心部分，由半导体开关元件（如MOSFET、IGBT等）组成的全桥或半桥电路构成。通过高频开关控制（PWM脉宽调制），将升压后的直流电转换为交流脉...
DC-DC有多种拓扑结构，如BUCK（降压）、BOOST（升压）、BUCK-BOOST（升降压）三...DC-DC有多种拓扑结构，如BUCK（降压）、BOOST（升压）、BUCK-BOOST（升降压）三大基本拓扑结构。升压降压电路（Boost和Buck电路）通过电感的储能与释放、开关元件...
KNB2908B场效应管漏源击穿电压80V，漏极电流130A；采用先进的沟槽技术，高密度...KNB2908B场效应管漏源击穿电压80V，漏极电流130A；采用先进的沟槽技术，高密度电池设计，极低导通电阻RDS(开启) 5.0mΩ，低栅极电荷，最大限度地减少导电损耗，高...
N沟道增强型MOSFET：当VGS超过阈值电压（VTH）时，ID开始增加，曲线呈上升趋势...N沟道增强型MOSFET：当VGS超过阈值电压（VTH）时，ID开始增加，曲线呈上升趋势。 P沟道增强型MOSFET：当VGS低于负阈值电压（-VTH）时，ID开始增加，曲线呈下降趋...
