在电路中，MOS管的开启电压（通常指的是阈值电压）决定了MOS管从截止状态到导通...在电路中，MOS管的开启电压（通常指的是阈值电压）决定了MOS管从截止状态到导通状态所需的栅源电压（VGS）的最小值。对于NMOS管，当VGS大于Vth时，管子开始导通。...
场效应管是一种电压控制器件(晶体管是电流控制器件)，有很高的输入阻抗，较大的...场效应管是一种电压控制器件(晶体管是电流控制器件)，有很高的输入阻抗，较大的功率增益，由于是电压控制器件所以噪声小。FET是根据三极管的原理开发出的新一代放...
KNP2908C场效应管漏源击穿电压80V, 漏极电流130A ，采用KIA的先进技术制造，极...KNP2908C场效应管漏源击穿电压80V, 漏极电流130A ，采用KIA的先进技术制造，极低导通电阻RDS(开启) 4.5mΩ，低栅极电荷（典型值182nC)，最大限度地减少导通损耗，...
ao3400场效应管代换型号KIA3400漏极电流4.8A，漏源击穿电压30V，采用先进的沟...ao3400场效应管代换型号KIA3400漏极电流4.8A，漏源击穿电压30V，采用先进的沟槽技术，极低导通电阻RDS(开启)、低栅极电荷和低至2.5V的栅极电压操作，减少开关损...
1、esd静电防护标准是GB21148-2020。这是我国关于静电防护的主要标准之一，它规...1、esd静电防护标准是GB21148-2020。这是我国关于静电防护的主要标准之一，它规定了静电防护的相关要求和测试方法该标准强调了对防静电电阻值的要求。 2、防静电...
KNM2808A场效应管漏源击穿电压80V, 漏极电流150A ，RDS（ON）值为4mΩ，极低RD...KNM2808A场效应管漏源击穿电压80V, 漏极电流150A ，RDS（ON）值为4mΩ，极低RDS（ON）和优秀栅极电荷，最大限度地减少导通损耗，最小化开关损耗；高输入阻抗、低功...
