放大器的建立时间是当运输入为阶跃信号时,运放的输出响应进入并保持在规定误差...放大器的建立时间是当运输入为阶跃信号时,运放的输出响应进入并保持在规定误差带所需的时间。
大致可以根据防反接保护器件分为电阻,二极管,电阻||二极管,NMOS 和 PMOS 几...大致可以根据防反接保护器件分为电阻,二极管,电阻||二极管,NMOS 和 PMOS 几种类型,而根据防反接保护电路的位置,又可以分为 VCC 端和 GND 端。
超结MOS管KCX6265A是使用KIA半导体先进的超级结技术生产的。这种先进的技术经过...超结MOS管KCX6265A是使用KIA半导体先进的超级结技术生产的。这种先进的技术经过特别定制,可以最大限度地减少导通损耗,提供卓越的开关性能,并在雪崩和换向模式下...
PMOS的高边防反接使用自驱效应,但其存在待机电流偏大和电流反灌隐患,并且PMO...PMOS的高边防反接使用自驱效应,但其存在待机电流偏大和电流反灌隐患,并且PMOS价格偏高,几乎没有使用驱动IC+PMOS高边防反这种设计,所以为了均衡价格因素和Rdso...
高压的功率 MOSFET 通常采用平面型结构,其中,厚的低掺杂的 N-的外延层,即 e...高压的功率 MOSFET 通常采用平面型结构,其中,厚的低掺杂的 N-的外延层,即 epi 层,用来保证具有足够的击穿电压,低掺杂的 N-的 epi 层的尺寸越厚,耐压的额定值...
这种功率MOSFET是使用KIA半导体先进的超级结技术生产的。这种先进的技术经过特...这种功率MOSFET是使用KIA半导体先进的超级结技术生产的。这种先进的技术经过特别定制,可以最大限度地减少导通损耗,提供卓越的开关性能,并在雪崩和换向模式下承...