双极型晶体管，BJT，是一种三端有源器件，通过控制基区电流来控制集电区电流，...双极型晶体管，BJT，是一种三端有源器件，通过控制基区电流来控制集电区电流，从而实现电流的放大、调节和开关等功能。 双极型晶体管是一种广泛应用于电子电路中...
低压降稳压器LDO，即低压差线性稳压器，是一种在输入电压与输出电压压差很小的...低压降稳压器LDO，即低压差线性稳压器，是一种在输入电压与输出电压压差很小的条件下能正常工作的稳压器。其核心作用是在电路中维持稳定的电压输出，即便在输入电...
KPD3606A P沟道场效应管漏源击穿电压-60V，漏极电流-60A，采用先进的高单元密度...KPD3606A P沟道场效应管漏源击穿电压-60V，漏极电流-60A，采用先进的高单元密度沟槽制造，极低导通电阻RDS（ON）11.6mΩ（典型值），最大限度地降低导通电阻，超低...
半导体分立器件是由半导体材料制成的独立电子元件，具有单一或特定功能，包括晶...半导体分立器件是由半导体材料制成的独立电子元件，具有单一或特定功能，包括晶体二极管、三极管及场效应管、晶闸管等类别，其导电性能介于导体与绝缘体之间；主要...
按照芯片功能的不同： 分立器件可以分为二极管、三极管、IGBT、MOSFET、晶闸管...按照芯片功能的不同： 分立器件可以分为二极管、三极管、IGBT、MOSFET、晶闸管等。 按照功率、电流的不同： 分立器件可分为小信号器件和功率分立器件两大类：小...
KNK74120A场效应管漏源击穿电压1200V，漏极电流23A，采用先进平面工艺制造，极...KNK74120A场效应管漏源击穿电压1200V，漏极电流23A，采用先进平面工艺制造，极低导通电阻RDS（ON）480mΩ（典型值），最大限度地降低导通电阻，低栅极电荷减少开关...
