应用领域-KIA半导体-广东可易亚半导体科技有限公司

升压降压电路工作原理,原理图-KIA MOS管

DC-DC有多种拓扑结构，如BUCK（降压）、BOOST（升压）、BUCK-BOOST（升降压）三...DC-DC有多种拓扑结构，如BUCK（降压）、BOOST（升压）、BUCK-BOOST（升降压）三大基本拓扑结构。升压降压电路（Boost和Buck电路）通过电感的储能与释放、开关元件...

电源切换mos,2908场效应管,to263封装mos,KNB2908B-KI...

KNB2908B场效应管漏源击穿电压80V，漏极电流130A；采用先进的沟槽技术，高密度...KNB2908B场效应管漏源击穿电压80V，漏极电流130A；采用先进的沟槽技术，高密度电池设计，极低导通电阻RDS(开启) 5.0mΩ，低栅极电荷，最大限度地减少导电损耗，高...

mos管输出特性和转移特性,mos管特性曲线-KIA MOS管

N沟道增强型MOSFET：当VGS超过阈值电压（VTH）时，ID开始增加，曲线呈上升趋势...N沟道增强型MOSFET：当VGS超过阈值电压（VTH）时，ID开始增加，曲线呈上升趋势。 P沟道增强型MOSFET：当VGS低于负阈值电压（-VTH）时，ID开始增加，曲线呈下降趋...

转移特性曲线和输出特性曲线详解-KIA MOS管

输出特性曲线：N沟道增强型MOS管的输出特性曲线如图1a所示。与结型场效应管一样...输出特性曲线：N沟道增强型MOS管的输出特性曲线如图1a所示。与结型场效应管一样，其输出特性曲线也可分为可变电阻区、饱和区、截止区和击穿区几部分。转移特性曲...

600v场效应管,600v22a,to220f封装,KLF60R170B参数-KI...

KLF60R170B漏源击穿电压600V，漏极电流22A，n沟道多外延Super-JMOSFET结合了高...KLF60R170B漏源击穿电压600V，漏极电流22A，n沟道多外延Super-JMOSFET结合了高压耐压与低导通电阻的特性，低导通电阻RDS(on) 150mΩ，超低栅极电荷30.2nc，最大...