KNY3080B 是一款专为高功率密度电源设计的 30V/80A N 沟道沟槽 MOSFET，采用 D...KNY3080B 是一款专为高功率密度电源设计的 30V/80A N 沟道沟槽 MOSFET，采用 DFN5×6 封装，典型 Rds (ON)=4.1mΩ@VGS=10V，总栅极电荷仅 32nC，具备优异的抗 dv/...
KNY3080A 30V 80A MOSFET DFN5*6 大电流管 4.2mΩ 低内阻 超薄封装 高效...KNY3080A 30V 80A MOSFET DFN5*6 大电流管 4.2mΩ 低内阻 超薄封装 高效率 KNY3080A、KNY3080A MOSFET、30V 80A MOSFET、DFN5*6 MOSFET、N沟...
还在为大功率电源发热大、温升超标、效率低发愁？KNB3403C 采用先进沟槽工艺，...还在为大功率电源发热大、温升超标、效率低发愁？KNB3403C 采用先进沟槽工艺，TO-263 大散热封装实现 4.5mΩ 超低 Rds (on)，80A 大电流、±20V 宽驱动余量，散热...
还在为大功率电源发热大、散热差、效率低发愁？KND3403C 采用先进沟槽工艺，TO...还在为大功率电源发热大、散热差、效率低发愁？KND3403C 采用先进沟槽工艺，TO-252 封装实现 4.5mΩ 超低 Rds (on)，80A 大电流、±20V 宽驱动余量，散热性能优异...
还在为大电流电源发热大、散热差、效率低发愁？KNY3403C 采用先进沟槽工艺，DF...还在为大电流电源发热大、散热差、效率低发愁？KNY3403C 采用先进沟槽工艺，DFN5*6 封装实现 4.3mΩ 超低 Rds (on)，80A 大电流、±20V 宽驱动余量，散热性能优异...
还在为快充电源发热大、效率低发愁？KNG3403C 采用先进沟槽工艺，DFN3*3 封装实...还在为快充电源发热大、效率低发愁？KNG3403C 采用先进沟槽工艺，DFN3*3 封装实现 4.3mΩ 超低 Rds (on)，80A 大电流、±20V 宽驱动余量，轻松解决同步整流损耗高...
