KIA 原厂 KNH3730A TO-3P MOSFET，50A/300V，Rds (on)≤88mΩ，雪崩能量 3044m...KIA 原厂 KNH3730A TO-3P MOSFET，50A/300V，Rds (on)≤88mΩ，雪崩能量 3044mJ，替代 TK50J30D/IXFH50N30Q3，交期稳、成本优，解决电源浪涌击穿痛点。
KIA原厂KND4390A/KNF4390A高压MOSFET，900V/4A规格，兼容4N90系列，TO-252/TO-...KIA原厂KND4390A/KNF4390A高压MOSFET，900V/4A规格，兼容4N90系列，TO-252/TO-220F双封装，低Rds(on)、快恢复二极管，解决电源发热/EMI超标痛点，国产替代首选
KIA KCX017N10N/KCT017N10N 100V/259A N 沟道 MOSFET，TO-263/TOLL 双封装，1....KIA KCX017N10N/KCT017N10N 100V/259A N 沟道 MOSFET，TO-263/TOLL 双封装，1.4-1.6mΩ 超低 Rds (on)，解决大电流发热、效率低痛点，适用于电机控制、BMS、UPS 等...
KNY3903A DFN5×6封装30V/85A MOSFET，Rds(on)低至4.0mΩ，解决传统MOS管发热炸...KNY3903A DFN5×6封装30V/85A MOSFET，Rds(on)低至4.0mΩ，解决传统MOS管发热炸机、空间不足、效率低问题，适配BMS保护板、电机驱动、快充电源，国产替代优选。
KCB040N10N TO-263 100V/172A MOSFET，Rds(on)仅3.4mΩ，解决传统MOS管发热炸机...KCB040N10N TO-263 100V/172A MOSFET，Rds(on)仅3.4mΩ，解决传统MOS管发热炸机、电流不足问题，适配电机驱动、UPS、BMS保护板，国产替代优选。
KND3403B TO-252封装30V 85A MOSFET，Rds(on)低至4.5mΩ，耐高温、低发热，解决...KND3403B TO-252封装30V 85A MOSFET，Rds(on)低至4.5mΩ，耐高温、低发热，解决传统MOS管过热炸机、电流不足、效率低问题，适配电机驱动/电源管理/BMS保护板。
