KIA 原厂 KCD2908B TO-252 N 沟道 MOSFET，85V 耐压，典型 4.3mΩ 低内阻，110...KIA 原厂 KCD2908B TO-252 N 沟道 MOSFET，85V 耐压，典型 4.3mΩ 低内阻，110A 持续电流。解决小型 PCB 空间不足、电源发热痛点，适配微型电机、DC-DC、同步整流...
KIA 原厂 KCB2908A TO-263 N 沟道 MOSFET，85V 耐压，典型 3.7mΩ 超低导通内阻...KIA 原厂 KCB2908A TO-263 N 沟道 MOSFET，85V 耐压，典型 3.7mΩ 超低导通内阻，持续电流 130A，SGT 工艺 FOM 值优异。解决电源发热、高频效率低、电机炸管痛点，...
KIA 原厂 KNM2408A (TO‑247) 80V/190A N 沟道直插 MOS 管，典型内阻 3.1mΩ，...KIA 原厂 KNM2408A (TO‑247) 80V/190A N 沟道直插 MOS 管，典型内阻 3.1mΩ，TO‑247 散热性能优异，改善大功率设备高温发烫、浪涌击穿故障；引脚兼容多款平替型...
KIA 原厂 KCD2408A (TO‑263) 80V/190A N 沟道 MOS 管，典型内阻 3.1mΩ，TO‑...KIA 原厂 KCD2408A (TO‑263) 80V/190A N 沟道 MOS 管，典型内阻 3.1mΩ，TO‑263 封装散热更强，改善快充储能器件高温发烫、浪涌击穿故障；支持 PIN 对 PIN 平替...
KIA 原厂 KCD2408A (TO‑252) 80V190A N 沟道 MOS 管，3.1mΩ 超低导通内阻，改...KIA 原厂 KCD2408A (TO‑252) 80V190A N 沟道 MOS 管，3.1mΩ 超低导通内阻，改善电源高热、浪涌击穿难题，适配快充、储能、服务器供电；引脚兼容多款平替型号，现...
80V190A DFN5*6 MOS KCY2408B 低栅电荷强抗扰、现货支持免费试样 典型 1...80V190A DFN5*6 MOS KCY2408B 低栅电荷强抗扰、现货支持免费试样 典型 1.9mΩ 超低导通内阻｜68nC 低栅电荷压缩高频损耗｜1225mJ 雪崩抵御插拔浪涌，DFN5*6...
