KNY2904A 是 40V/130A 高性能 N 沟道 MOSFET，DFN5×6 封装，Rds (on) 低至 2....KNY2904A 是 40V/130A 高性能 N 沟道 MOSFET，DFN5×6 封装，Rds (on) 低至 2.0mΩ，低损耗高效率，专为电源管理、快充、电机驱动设计，可直接替代 AO4403/SI4403...
KPE4403A2 双P沟道MOSFET，-30V耐压/-5A电流，SOP-8封装，典型Rds(on)=42mΩ，...KPE4403A2 双P沟道MOSFET，-30V耐压/-5A电流，SOP-8封装，典型Rds(on)=42mΩ，低栅极电荷、开关速度快，可直接替代AO4403/SI4403，适用于同步降压、电源管理，现货...
KND3080B N沟道MOSFET，30V耐压80A大电流，TO-252封装，典型Rds(on)仅4.1mΩ，...KND3080B N沟道MOSFET，30V耐压80A大电流，TO-252封装，典型Rds(on)仅4.1mΩ，低栅极电荷、开关速度快，可直接替代进口同规格型号，广泛用于电源管理、负载开关、...
KNX6165A 650V/10A N 沟道 MOSFET，TO-220/TO-220F 封装，Rds (on) 仅 0.7Ω，...KNX6165A 650V/10A N 沟道 MOSFET，TO-220/TO-220F 封装，Rds (on) 仅 0.7Ω，解决高压电源易烧管、发热大、效率低等痛点，高雪崩抗冲击，适配 PFC、LED 驱动、逆...
KIA7115A 是 TO-252 封装 P 沟道 MOS 管，耐压 - 150V、电流 - 20A，导通内阻仅...KIA7115A 是 TO-252 封装 P 沟道 MOS 管，耐压 - 150V、电流 - 20A，导通内阻仅 153mΩ，解决电路发热大、易击穿、开关不稳等痛点。低栅极电荷、高雪崩抗冲击，工...
KIA6140S 400V/11A N 沟道 MOSFET，低 Rds (on)=0.53Ω，高雪崩抗冲击，开关电...KIA6140S 400V/11A N 沟道 MOSFET，低 Rds (on)=0.53Ω，高雪崩抗冲击，开关电源、电机驱动、电磁阀专用，可直接替代 FQP11N40/STP11N40，TO-220/TO-220F 封装，工...
