IA3510A 完美替代英飞凌 IRF3710、新洁能 NCE3510A、华润微 CR3510A，100V75A ...IA3510A 完美替代英飞凌 IRF3710、新洁能 NCE3510A、华润微 CR3510A，100V75A 全封装覆盖，引脚完全兼容，无需改板，性能更优，交期稳定，成本降低 35% 以上，支持...
KIA2806A 是 60V150A N 沟道 MOSFET，典型导通电阻 3.5mΩ，大电流下发热小，1...KIA2806A 是 60V150A N 沟道 MOSFET，典型导通电阻 3.5mΩ，大电流下发热小，1200mJ 雪崩能量抗浪涌，TO-263 贴片封装，广泛用于逆变器、UPS、电机驱动，工业级品...
KIA4590A 是 900V6A N 沟道 MOS 管，典型导通电阻 1.6Ω，低发热高效率，快恢复...KIA4590A 是 900V6A N 沟道 MOS 管，典型导通电阻 1.6Ω，低发热高效率，快恢复体二极管，双封装可选，广泛用于适配器、充电器、SMPS 电源，工业级品质，现货充足...
还在为 MOS 管发热大、高频损耗高发愁？KCB2920K 系列采用 SGT 沟槽工艺，Rds ...还在为 MOS 管发热大、高频损耗高发愁？KCB2920K 系列采用 SGT 沟槽工艺，Rds (on) 低至 9.8mΩ，200V/130A 规格，低栅极电荷，是高频开关电源、同步整流的理想选...
还在为 MOS 管发热大、效率低发愁？KNF7650A/KNH7650A 采用 170mΩ 超低内阻设...还在为 MOS 管发热大、效率低发愁？KNF7650A/KNH7650A 采用 170mΩ 超低内阻设计，500V/25A 规格，低损耗高效率，是开关电源、电机驱动的优选 ...
还在为 MOS 管发热大、效率低发愁？KIA9435 采用 50mΩ 超低内阻设计，-30V/5....还在为 MOS 管发热大、效率低发愁？KIA9435 采用 50mΩ 超低内阻设计，-30V/5.3A 电流规格，SOP-8 封装，低损耗高效率，是电源管理、负载开关的优选。
