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广东可易亚半导体科技有限公司

结果: 找到相关主题 5091 个

  • 032n10n场效应管参数,120a100v mos管,KCX032N10N-KIA MOS管

    KCX032N10N场效应管漏源击穿电压100V，漏极电流120A ，采用先进的MOS技术制造，极低导通电阻RDS(开启) 3.5mΩ，卓越的QgxRDS（on）产品（FOM），减少开关损耗，提高效率；符合JEDEC标准，100%DVDS测试、100%雪崩测试，确保可靠性和稳定性，在电机控制和驱动、电...

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    www.kiaic.com/article/detail/5768.html         2025-07-03

  • 推挽电压尖峰高原因及解决方法分享-KIA MOS管

    在每个开关管的并联位置添加反并联二极管。这样做可以在开关管关断时提供一个回路，使电感中的能量得以释放，从而降低尖峰电压的幅值。

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    www.kiaic.com/article/detail/5767.html         2025-07-03

  • ac电流和dc电流关系,有什么区别-KIA MOS管

    ac(交流电）：电流方向和大小随时间按正弦规律周期性变化。例如家庭用电（中国为220V/50Hz），电流方向每秒改变100次。

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    www.kiaic.com/article/detail/5766.html         2025-07-03

  • 17N10场效应管,259a100v,KCX017N10N参数资料-KIA MOS管

    KCX017N10N场效应管漏源击穿电压100V，漏极电流259A ，采用先进的MOS技术制造，极低导通电阻RDS(开启) 2mΩ，卓越的QgxRDS（on）产品（FOM），减少开关损耗，提高效率；符合JEDEC标准，?100%DVDS测试、100%雪崩测试，确保可靠性和稳定性，在电机控制和驱动、电...

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    www.kiaic.com/article/detail/5765.html         2025-07-02

  • n沟道mos管开关电路,原理图分享-KIA MOS管

    nmos管作为防止电路反接方案中，VCC=5V的电源加在10K阻性负载上，电压表、电流表分别测量，记录值是5V、500uA；切换Key开关，模拟电源反接时，测得记录值是-49.554mV、-4.955uA。

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    www.kiaic.com/article/detail/5764.html         2025-07-02

  • 直流快充桩和交流充电桩区别,优缺点详解-KIA MOS管

    交流充电桩输出的依然是交流电，这种电流需要经过车载充电机(OBC)转换为直流电后才能为电池充电。这一转换过程限制了充电速度，因为车载充电机的功率通常有限(3.3kW-22kW不等)。

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    www.kiaic.com/article/detail/5763.html         2025-07-02

  • 12N10场效应管参数,330a100v,KCX012N10N参数-KIA MOS管

    KCX012N10N场效应管漏源击穿电压100V，漏极电流330A ，采用先进的MOS技术制造，极低导通电阻RDS(开启) 1.4mΩ，卓越的QgxRDS（on）产品（FOM），减少开关损耗，高效稳定；符合JEDEC标准，坚固可靠，在电机控制和驱动、电池管理、不间断电源（UPS）中广泛应用；...

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    www.kiaic.com/article/detail/5762.html         2025-07-01

  • llc电路详解,llc谐振电路原理-KIA MOS管

    LLC变换器由4个模块组成：电源开关、谐振腔、变压器和二极管整流器。MOSFET功率开关首先将输入的直流电压转换为高频方波；随后方波进入谐振腔，由谐振腔消除方波的谐波并输出基频的正弦波；正弦波再通过高频变压器传输到变换器的副边，并根据应用需求对电压进行...

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    www.kiaic.com/article/detail/5761.html         2025-07-01

  • ppn详解,ppn电容作用,测量方法-KIA MOS管

    PPN电容是CBB13型无感箔式聚丙烯膜电容的另一种名称，属于薄膜电容器的一种，具有高频损耗小、耐冲击、温度稳定性好等特点，广泛应用于高频、直流、交流及大电流脉冲电路中。

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    www.kiaic.com/article/detail/5760.html         2025-07-01

  • 电机控制MOS管,305a90v,12N09场效应管参数中文资料-KIA MOS管

    KCX012N09N场效应管漏源击穿电压90V，漏极电流305A ，采用先进的MOS技术制造，极低导通电阻RDS(开启) 1.3mΩ，卓越的QgxRDS（on）产品（FOM），减少开关损耗，提高效率；符合JEDEC标准，产品性能稳定可靠，在电机控制和驱动、电池管理、不间断电源（UPS）中广泛...

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    www.kiaic.com/article/detail/5759.html         2025-06-30

  • tip42c参数与管脚图,tip42c参数及代换-KIA MOS管

    TIP42C是PNP功率晶体管，采用TO-220塑料封装，材料是SI-NPN，该器件适用于音频，功率线性和开关应用。与TIP42C互补的PNP类型为TIP41C中功率三极管，其广泛用于信号放大及音频功放用晶体管。

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    www.kiaic.com/article/detail/5758.html         2025-06-30

  • 无线电发射与接收原理,电路图分享-KIA MOS管

    无线电通信是利用电磁波进行信息传输的一种技术。无线电通常使用调频或调幅技术将信息转化为电信号,然后通过天线传输。1.调制：发射端先将要传输的信号进行调制，将其转换为适合在空间中传播的电磁波信号。

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    www.kiaic.com/article/detail/5757.html         2025-06-30

  • upsmos管,70a250v场效应管,KCP3525A参数引脚图-KIA MOS管

    KCP3525A场效应管漏源击穿电压250V，漏极电流70A ，采用先进的SGT技术制造，专有新沟槽技术，极低导通电阻RDS(开启) 18.5mΩ，低栅极电荷减少开关损耗，提高效率；快速恢复体二极管，具有反向电压保护、续流功能和防止电源反接等优点，在硬开关与高速电路、电机...

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    www.kiaic.com/article/detail/5756.html         2025-06-27

  • sip封装工艺,sip封装有哪几种-KIA MOS管

    sip封装是将多个具有不同功能的有源电子元件与可选无源器件，以及诸如MEMS或者光学器件等其他器件优先组装到一起，实现一定功能的单个标准封装件，形成一个系统或者子系统。

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    www.kiaic.com/article/detail/5755.html         2025-06-27

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