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广东可易亚半导体科技有限公司

结果: 找到相关主题 5402 个

  • KIA10TB60

    KIA10TB60

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    www.kiaic.com/product/detail/227.html         2025-07-22

  • KIA18TB40

    KIA18TB40

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    www.kiaic.com/product/detail/228.html         2025-07-22

  • KIA20TB40

    KIA20TB40

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    www.kiaic.com/product/detail/229.html         2025-07-22

  • KIA30TB20

    KIA30TB20

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    www.kiaic.com/product/detail/230.html         2025-07-22

  • KIA30TB60

    KIA30TB60

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    www.kiaic.com/product/detail/231.html         2025-07-22

  • SSP08065A

    SSP08065A

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    www.kiaic.com/product/detail/313.html         2025-07-22

  • 7n80场效应管代换,7a800v,​KIA7N80HF参数现货-KIA MOS管

    7n80场效应管代换型号?KIA7N80HF漏源击穿电压800V，漏极电流7A，采用先进的平面条状DMOS技术制造，?RDS(on)仅为1.4Ω@ VGS=10V，低栅极电荷27nC，最大限度降低导通电阻、提供卓越的开关性能；?具有高坚固性、快速切换、100%雪崩测试、改进的dv/dt能力，性能...

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    www.kiaic.com/article/detail/5804.html         2025-07-21

  • -100a-40v pmos,3204场效应管,KPD3204B参数资料-KIA MOS管

    KPD3204B场效应管漏源击穿电压-40V，漏极电流-90A，采用先进的高单元密度沟槽技术制造，极低导通电阻RDS（ON）3.2mΩ（典型值）、超低栅极电荷，减少开关损耗，高效率低损耗；100%EAS保证、dV/dt效应显著下降，稳定可靠，绿色设备可用，性能优越；封装形式：TO...

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    www.kiaic.com/article/detail/5798.html         2025-07-18

  • dcdc变换器mos管,80v160a场效应管,KNB2708A参数-KIA MOS管

    KNB2708A场效应管漏源击穿电压80V，漏极电流160A，采用专有新型沟槽技术制造，极低导通电阻RDS（ON）4mΩ（典型值），最大限度地降低导通电阻，?超低栅极电荷，减少开关损耗提高效率；快速恢复体二极管、反向恢复时间短，性能优越，稳定可靠；广泛应用于高效D...

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    www.kiaic.com/article/detail/5801.html         2025-07-18

  • ups逆变器,190a40v,2404场效应管,KNY2404A参数引脚图-KIA MOS管

    KCY2408A场效应管漏源击穿电压40V，漏极电流190A，采用专有新型沟槽工艺制造，极低导通电阻RDS(开启) 2.2mΩ，最大限度地降低导通电阻，低栅极电荷减少开关损耗，高效稳定；快速恢复体二极管、反向恢复时间短，高频性能优异?；广泛应用于高效DCDC转换器、同步...

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    www.kiaic.com/article/detail/5795.html         2025-07-16

  • 变频电源原理,变频器结构原理分享-KIA MOS管

    变频电源是由整个电路构成交流一直流一交流一滤波的变频装置。?变频器通过整流、中间直流环节和逆变等过程，将输入的交流电转换为频率和电压可调的交流电，从而实现对电机转速和转矩的精确控制。

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    www.kiaic.com/article/detail/5794.html         2025-07-16

  • 变频器工作原理,变频器逆变原理-KIA MOS管

    变频器的逆变原理是通过脉宽调制（PWM）技术控制开关器件通断时序，将直流电转换为频率和电压可调的交流电。

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    www.kiaic.com/article/detail/5793.html         2025-07-16

  • 充电器mos,2408MOS管,190a80v,KCY2408A场效应管-KIA MOS管

    KCY2408A场效应管漏源击穿电压80V，漏极电流190A，采用SGT-MOSFET技术，专有新型沟槽工艺制造，??极低导通电阻RDS(开启) 2mΩ，最大限度地降低导通电阻，减少损耗；快速切换能力，确保应用高效率、低损耗，稳定可靠；广泛应用于交流直流快速充电器、同步整流...

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    www.kiaic.com/article/detail/5792.html         2025-07-15

  • 反激电源拓扑,反激拓扑结构原理-KIA MOS管

    升降压电路由电感周期性的充能和放能过程维持均匀的电压输出，且输出电压与输入电压极性相反。将升降压电路中的电感替换成互相耦合的电感N1和N2（也就是变压器）就是反激拓扑。

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    www.kiaic.com/article/detail/5791.html         2025-07-15

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