|
|
|
结果: 找到相关主题 972 个
-
应急启动电源mos,12a650v场效应管,KNF6365A参数资料-KIA MOS管
应急启动电源专用MOS管KNF6365A漏极电流12A，漏源击穿电压为650V，低导通电阻RDS(开启) 0.7Ω，低电阻、低门电荷、低反向传输电容，最大限度地减少开关损耗，提高效率；快速切换、ESD改进能力、100%单脉冲雪崩能量测试，高效稳定可靠；广泛应用于适配器和充电器...www.kiaic.com/article/detail/5603.html 2025-04-07
-
负载开关,30v80amos管,3403场效应管,KNY3403C参数-KIA MOS管
KNY3403C场效应管漏源击穿电压30V，漏极电流80A，极低导通电阻RDS(开启) 4.3mΩ，可最大限度地降低导通电阻，最小化开关损耗；低栅极电荷、低反向传输电容，高效率低损耗；快速切换能力和改进的dv/dt能力、100%雪崩测试，稳定可靠，广泛应用于PWM应用程序、开关...www.kiaic.com/article/detail/5591.html 2025-04-07
-
电机控制mos,60a100v场效应管,KNP3610A参数资料-KIA MOS管
KNP3610A场效应管漏源击穿电压100V，漏极电流60A，采用先进的沟槽技术，性能优越，开关速度快；极低导通电阻RDS(开启) 17mΩ，可最大限度地降低导通损耗；低栅极电荷、低Rdson的高密度电池设计，高效低耗；完全表征雪崩电压和电流、具有高EAS的良好稳定性和均匀...www.kiaic.com/article/detail/5594.html 2025-04-07
-
保护板mos管,85v120a场效应管,3008mos管,KCB3008A参数-KIA MOS管
锂电池保护板专用MOS管KCB3008A漏极电流120A，漏源击穿电压为85V，采用先进的SGT技术，极低导通电阻RDS(开启) 4.5mΩ，最大限度地减少开关损耗，提高效率；优秀的栅极电荷xRDS（开）产品（FOM），稳定可靠；在电机驱动器和DC/DC转换器、SR（同步整流）中能够高...www.kiaic.com/article/detail/5600.html 2025-04-07
-
高频电路mos,2908场效应管,KNP2908D参数引脚图-KIA MOS管
KNP2908D场效应管漏源击穿电压80V，漏极电流130A，极低导通电阻RDS(开启) 4.8mΩ，最大限度地减少导电损耗，低电流以减少开关损耗，提高效率；具有卓越的电气参数，高雪崩电流，能够承受高功率负载；无铅设备，绿色环保；产品采用专有的新型技术，具有更高的功...www.kiaic.com/article/detail/5570.html 2025-03-24
-
bldc mos,电机驱动器mos,25a500v,KNH7650A场效应管参数-KIA MOS管
KNH7650A场效应管漏源电压500V，漏极电流25A，采用高级平面工艺制造，加固多晶硅栅极结构，能够提升设备性能，提高系统效率；低导通电阻RDS(开启) 170mΩ，低栅极电荷，最大限度地减少开关损耗；性能优越、高效稳定，广泛应用于BLDC电机驱动器、电动焊机、高效...www.kiaic.com/article/detail/5567.html 2025-03-19
-
ups电源场效应管,3610场效应管参数,KNB3610A原厂-KIA MOS管
ups不间断电源mos管KNB3610A漏源击穿电压100V，漏极电流60A，采用先进的沟槽技术提供优异的RDS(开启) 17mΩ，最大限度地减少导电损耗；具有低栅极电荷、低Rdson的高密度电池设计、完全表征雪崩电压和电流、具有高EAS的良好稳定性和均匀性，高效稳定可靠；广泛应...www.kiaic.com/article/detail/5558.html 2025-03-14
-
电源切换mos,80v70a,3508mos管,KNP3508A场效应管参数-KIA MOS管
KNP3508A场效应管漏源击穿电压80V，漏极电流70A，低导通电阻RDS(on)=7.5mΩ，最大限度地降低导通电阻，减少损耗提高效率；在雪崩和整流模式下能承受高能量脉冲、100%雪崩测试、符合RoHS标准，稳定可靠；适用于逆变器系统的电源管理、锂电池保护板、切换应用程序...www.kiaic.com/article/detail/5555.html 2025-03-13
-
逆变mos管,60v80amos管,KCD3406A场效应管参数-KIA MOS管
逆变器专用mos管KCD3406A漏源击穿电压60V，漏极电流为80A，采用先进的LVMOS工艺技术生产，SGT MOSFET通过结构改进提升性能，在降低导通电阻和开关损耗方面表现出色，最大限度地降低导通电阻，RDS(开启) =8.5mΩ；具有低栅电荷、低反馈电容、开关速度快、改进的...www.kiaic.com/article/detail/5552.html 2025-03-12
-
控制板mos,10a800v高压,KNF6180A场效应管参数-KIA MOS管
控制板mos管KNF6180A漏源击穿电压800V，漏极电流10A；采用专用新型技术生产，极低导通电阻RDS(开启) 1.0Ω，可最大限度地降低导通电阻，提供卓越的开关性能；快速恢复体二极管、低栅极电荷、低反向传输电容，减少开关损耗，快速切换，稳定可靠；?广泛应用于AT...www.kiaic.com/article/detail/5528.html 2025-03-07
-
电机驱动mos,800vmos,10a800v,KNF6180B场效应管参数-KIA MOS管
KNF6180B漏源击穿电压800V，漏极电流10A；采用专有高压平面VDMOS技术生产，改进的工艺和单元结构经过特别定制，极低导通电阻RDS(开启) 0.87Ω，可最大限度地降低导通电阻，高效低耗；低栅极电荷、低反向传输电容、改进的dv/dt能力，实现快速切换；在雪崩和换向...www.kiaic.com/article/detail/5541.html 2025-03-07
-
调光LED,调光mos管,7a30v场效应管,sop8,KIA4603AE参数-KIA MOS管
KIA4603AE场效应管漏源击穿电压30V，漏极电流7A，采用先进的高密度沟槽加工技术，实现极低的导通电阻RDS(开启) 14.5mΩ，最大限度地减少导通损耗，高效低耗；低栅极电荷、出色的Cdv/dt效应下降以及满足RoHs和绿色产品的要求，稳定可靠；适用于同步降压转换器、...www.kiaic.com/article/detail/5537.html 2025-03-06
-
大功率电源切换,11A 350V,KIA6035AD场效应管参数-KIA MOS管
KIA6035AD场效应管漏源击穿电压350V，漏极电流11A；采用先进的平面条纹DMOS技术，最大限度地减少导通电阻，导通电阻RDS(开启) 0.38Ω，降低功耗、提升效率；在雪崩和换向模式下承受高能脉冲，低栅极电荷、高坚固性、指定的雪崩能量和改进的dv/dt能力，实现快速...www.kiaic.com/article/detail/5522.html 2025-02-27
-
30V100A MOS管,3203场效应管,KND3203B参数资料-KIA MOS管
KND3203B场效应管漏源击穿电压30V，漏极电流100A；采用CRM（CQ）先进的沟槽MOS技术，极低导通电阻RDS(开启) 3.1mΩ，最大限度地减少导电损耗，高效低耗；优秀的QgxRDS（on）产品性能，符合JEDEC标准，开关速度快、内阻低，稳定可靠；适用于开关电源、家电控制板...www.kiaic.com/article/detail/5510.html 2025-02-21